放射性核素￣（111）In及￣（111）InCl＿3注射液制备方法的研究

用ＨＤＥＨＰ并以正庚烷为稀释剂从存在大量的Ａｇ（Ⅰ）和Ｃｕ（Ⅱ）的硝酸溶液中萃取Ｉｎ（Ⅲ）。研究了Ｉｎ（Ⅲ）在两相之间的分配比与酸度、ＨＤＥＨＰ浓度及Ｉｎ（Ⅲ）含量的关系。用不同浓度的盐酸从有机相中反萃取Ｉｎ（Ⅲ），并测量了Ｉｎ（Ⅲ）的回收率。从回旋加速器内靶装置上，用α粒子辐照的镀银靶物质中，分离出高纯度、无载体的￣（１１１）Ｉｎ，并制成了￣（１１１）ＩｎＣｌ＿３注射液。     

铟—PAR络合吸附波的极谱行为研究

本文介绍了在0.09mol/L NH_3·H_20—0.21mol/L NH_4Cl介质中,当有8×10~(-5)mlo/L PAR存在时,In~(3+)在—0.85V(vs.S·C·E·)处产生一灵敏的络合吸附波,其线性范围为0.1～0.8μg/ml。对这一络合吸附波的性质进行了研究,并测定了该络合物的组成。利用In—PAR络合吸附的极谱行为进行了纯铅中微量铟的加入回收实验,测定了合成样品中的微量铟。     

大尺寸氧化铟锡(ITO)靶材制备研究进展

氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)靶材是屏幕显示器、光伏电池、功能玻璃等领域的关键原材料之一,已朝着大尺寸(长度至少600 mm)、高密度、低电阻率和高使用率的方向发展。本文介绍了高性能ITO靶材的技术特征,分析了大尺寸ITO靶材的需求和镀膜优势,总结了大尺寸ITO靶材的成型、烧结工艺及其研究应用现状,最后提出了制备大尺寸ITO靶材的研究方向。     

世界铟价格趋势分析

介绍了铟的矿产资源储备情况以及铟的用途,阐述了国内外原生铟的产量和需求现状,论述了中国面对铟资源稀缺所采取的对策。     

微波消解-火焰原子吸收光谱法测定烟灰中的铟

运用标准加入法于火焰原子吸收光谱分析,创新了测定烟灰中铟的方法．采用微波消解技术预处理烟灰样品,确定了消解液、微波消解压力、时间、温度等关键因素．采用三步微波消解工序,其消解温度、压力、时间依次为60℃、8atm、1min,70℃、13atm、2min,100℃、20atm、3min．实验结果表明,烟灰在逆王水和氟化铵中溶样效果最好,分析消解烟灰样品,相对标准偏差为0．43％-1．67％,加标回收率在102．3％～107．1％之间,结果令人满意．     

In2S3纳米晶自组装微球的无模板水热法制备及其光催化性能研究

以氧化铟、盐酸和硫脲为原料,采用简单、无模板的水热法于140℃、160℃恒温24 h分别得到In2S3纳米自组装成的不同形貌微米球。产物通过X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对其结构和形貌进行表征.XRD结果表明:两种产物均为纯相立方晶相的In2S3.SEM结果表明:于140℃、恒温24 h得到In2S3纳米粒自组装微球,微球直径约3～4μm.纳米粒大小约20 nm;于160℃恒温24 h也得到In2S3纳米粒自组装形成的微球,微球大小约2.5～10μm,纳米粒大小20～200 nm.以亚甲基蓝-乙醇溶液为模型污染物,考察In2S3在紫外灯照射下的光催化性能.     

氮化铟(0001)干净和缺陷表面结构研究

利用第一原理研究了纤锌矿结构InN(0001)表面结构.用两种势(US-PP和PAW)对氮化铟晶格常数优化,用US-PP势计算值和实验值符合的更好.US-PP势总能计算表明氮吸附在InN(0001)面的(2×2)结构H3位最稳定,铟吸附在InN(0001)面的(1×2)结构T4位最稳定.InN(0001)表面容易形成铟层,氮空位很可能是造成n型InN的高载流子浓度的施主.     

放射性药物111In-DTPA络合物和未反应的游离DTPA之间的分离与测定

作者应用冠醚色层柱,以ＫＨ２ＰＯ４为流动相,再在流动相中加入辛胺,并用乙腈调节辛胺浓度的方法,研究了放射性药物１１１Ｉｎ－ＤＴＰＡ络合物和未反应的游离ＤＴＰＡ的容量因子与流动相碱性离子对试剂浓度及其ｐＨ值的关系．结果表明,两者均随流动相中碱性离子对浓度的增加而增大,而随流动相中ｐＨ值的增大而下降,较好地解决了放射性药物１１１Ｉｎ－ＤＴＰＡ络合物和游离ＤＴＰＡ的分离和测定问题,为脑显象剂——放射性药物１１１Ｉｎ－ＤＴＰＡ络合物的研制、生产和质量控制提供了一种较满意的方法     

间溴偶氮羧—m测定微量铟的研究

本文研究了间溴偶氮羧－ｍ与铟显色反应的最佳条件．在ＨＣｌ－ＫＣｌ介质中，ｐＨ２．７～３．６范围内，铟与显色剂形成１∶２的蓝色配合物，其最大吸收波长为６８６ｎｍ，摩尔吸光系数ε６８６＝１．３８×１０５Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１．铟含量在０．０４～０．３２μｇ·ｍＬ－１时服从比耳定律．同时还采用了Ｐ３５０反相萃取柱色层分离法使铟与大量干扰离子分离〔１〕，建立了在水相中直接测定微量铟的简便而又迅速有效的方法．     

室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究

报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡（ＩＴＯ）薄膜获得电阻率３×１０－４Ω·ｃｍ，在可见光区平均透光率８４％的优良性能．用扫描电子显微镜和Ｘ射线衍射法研究了ＩＴＯ薄膜的结晶形貌和晶体结构