用于中子发生器加速极电源的高频变压器设计

根据中子发生器加速极电源功率要求,通过AP(Area Product)法对加速极电源中的关键部件高频变压器进行设计.在推挽前级逆变电路中,增加去磁回路抑制变压器偏磁问题,采用分段分组绕制法减小分布电容.同时,测量和比较了不同频率下,变压器原、副边电压实验波形.结果表明:高频变压器的转换效率随频率升高而增大,当工作频率为20 kHz时,输出效率达到84％,满足了中子发生器加速极电源的要求.     

ICP-AES光谱仪的研制及其分析软件的设计

目前,市场上的ICP光谱仪仍以国外仪器为主,国内仪器的开发与研制始终未能有所突破,在仪器分析软件上仍属空白,这极大限制了国内ICP光谱仪的发展.本文主要针对单道顺序扫描型ICP-AES光谱仪的硬件及分析软件的开发提供了思路.     

电子内镜下高频电切除结肠息肉的护理

结肠息肉是结肠多发疾病。随着内镜技术的发展，内镜下息肉切除术逐渐成为一项常规的治疗手段。治疗内镜对内镜护理人员的要求高，护理质量的好坏直接关系到治疗成功与否及并发症的发生率。术前准备详细了解病情、既往史，做心电图及凝血功能检查。询问病人服药情况，特别是阿司匹林或NASID服药史，肠道准备同常规肠镜检查，使用的是电解质清肠剂，特别要注意的是，绝对不可使用甘露醇清洁肠道,否则通电切除息肉时会有爆炸的危险。术前30分钟肌注阿托品0.25mg或654-210mg，可明显减少术中肠蠕动，便于进镜、暴露手术部位及手术操作。术中…     

Nonsynchronous Trading Model and Return Analysis

Nonsynchronous trading is one of the hot issues in financial high-frequency data processing. This paper extends the nonsynchronous trading model studied in [1] and [2] for the financial security, and considers the moment functions of the observable return series for the extended model. At last. the estimators of parameters are obtained.     

甲状腺肿块的高频彩色多普勒超声诊断

目的 :探讨高频彩色多普勒超声检查对甲状腺肿块的诊断价值。方法 :对 48例甲状腺包块患者进行二维及彩色多普勒血流显像超声检查。结果 :48例甲状腺包块患者共检出肿块 67个 ,超声检查与病理对照除 3例误诊外 ,其余 45例与病理结果包括肿块部位、数目均符合 ,符合率 90 % ( 42 / 45 )。结论 :高频彩色多普勒超声检查对甲状腺肿块具有较高的诊断价值 ,可为临床提供有价值的诊断依据     

4ФFDPSK高频调制解调器的MAP准则同步方案

本文提出了利用MAP准则实现短波数字调制、解调器的同步方案,导出了提取同步信息的表达式。最后,对此方案进行了计算机模拟,根据模拟结果对方案的性能进行了分析。从理论上实践上证实了方案的可行性。     

工业CT重建图像中边缘梯度效应引起的高频伪影

为研究伪影对大型工件内部密度锐变区域高对比度微小缺陷检测的影响,从一个简单的轴对称断层模型出发,计算了边缘梯度效应引起的通过物体内部不同材料交界面处的射束的投影偏差。并研究采样相位的影响,探讨了由此偏差引起的重建图像中的高频伪影的表现形式。计算结果表明,高频伪影具有相当的强度,且具有与缺陷相似的表现形式,从而影响工业CT的检测能力。结合点扩散过程,高频伪影强度的计算为评估工业CT边缘处的缺陷检测能力提供了理论依据。     

基于广大极值分布的高频极值条件VaR模型

在考虑当前预期和波动性条件下,为了有效地捕获极端条件下收益率时间序列动态特征,提高VaR的度量精度,建立了基于高频数据的条件极值VaR模型.应用智能优化算法对条件极值分布的时变参数进行估计,考察了在不同样本容量分块下的条件极值VaR,并对VaR计算结果的精度进行了Kupiec-LR检验和动态分位数检验.研究结果表明,基于高频数据的条件极值分布较好地拟合了极端条件下的收益率特征,与McNeil提出的传统条件极值VaR相比,应用高频数据建立在条件广义极值分布基础上的条件极值vaR的Kupiec检验DQ检验值都较为理想,表明该模型能够捕捉到我国市场风险特征,提高极端情况下风险测度能力.     

高频小信号放大器与高频功率放大器之对比学习

根据高频小信号放大器与高频功率放大器的工作原理，简单阐述两者的不同之处，以便于学生的全面掌握。     

高频MOS－CV特性的界面态形变及其测量

讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Ｑ（ｉｔ）对高频ＭＯＳ－ＣＶ特性线的形变规律，提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法，以此算出Ｑ（ｉｔ）密度在禁带中的分布，并对常规高频ＣＶ法的测量误差作了讨论和修正，由于数据的采集和处理可以由微机完成，使这种方法变得简便、准确并易于在工艺线上推广使用。