一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型

针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程,建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型,并利用器件数值仿真软件Sen-taurus对解析模型进行了验证.研究结果表明,衬底掺杂原子浓度越高,或多晶硅掺杂原子浓度越低,多晶硅耗尽层上的压降就越大,阈值电压偏移也越显著.与现有模型相比,该解析模型的精确度提高了34%以上.     

液晶光阀的电光频率特性

测量并分析了TB3639型液晶光阀的电光特性曲线,讨论了频率变化对液晶显示器显示稳定性的影响.结果表明:阈值电压和饱和电压都随频率的增大而逐渐增大,尤其是阈值电压受频率影响更大,频率对陡度也有较大的影响.而阈值电压的变化与陡度的变化会影响LCD显示的稳定性,阈值电压升高,显示对比度会下降,阈值电压降低,易产生交叉串扰现象.经分析得出:在60～100 Hz区间,所测试的液晶光阀陡度随频率变化相对较小,显示特性较稳定.这为设计液晶显示器件,提高其显示稳定性提供了依据.     

斜劈盒中胆甾相液晶螺距变化对阈值电压的影响

从实验和理论两个方面研究了斜劈盒中胆甾相液晶螺距变化对阈值电压的影响，实验结果表明：阈值电压不仅与螺距数有关，而且与边界条件引起的螺距收缩和伸展有关，在螺距数不变的情况下，螺距的收缩使阈值电压提高，而螺距的伸展使阈值电压减小。     

发光二极管的禁带宽度和阈值电压、正常工作电压间关系的再研究

通过对发光二极管的阈值电压和正常工作电压的测量,比较由光波长估算的禁带宽度与阈值电压和正常工作电压,得出半导体发光材料的禁带宽度应在阈值电压和正常工作电压之间,且有的更接近正常工作电压的结论。     

G-M计数管实验的研究

通过实验证实Ｇ－Ｍ计数管实验中新旧计数管对计数管的坪曲线和分辨时间的影响,研究放射源放在不同位置与计数管计数的关系,分析自动定标器阈值电压的选择方法．     

绝缘栅PMOS的SUPREM—SEDAN联机模拟研究

本文分析及研究了作者对绝缘栅ＰＭＯＳ场效应结构所进行的ＳＵＰＲＥＭ—ＳＥＤＡＮ联机模拟．重点在衬底电阻率（掺杂浓度）与ＭＯＳ结构阈值电压之间的定量关系上得到了与实验完全一致的结果．同时，定量地描述了栅氧层中电离电荷的分布及其行为．揭示了上述效应的机理．     

透射式氧化钨基电致变色器件的制作与性能研究

本采用多聚配合物法制备非晶态氧化钨变色薄膜,同时采用半固态电解质初步组装了透射式氧化钨基电致变色器件,并对其着色效率、响应时间等电致变色性能参数进行了测定。     

一种MFIS类结构的阈值电压新模型及其C-V特性分析

采用物理和数学分析相结合的方法,构建了MFIS结构阈值电压的一种新的解析模型,对此解析模型的分析表明,铁电材料的介电常数越低,电滞回线的矩形度越好,MFIS结构的存储特性越好．由该模型进一步得到了MFIS结构的C-V曲线,对C-V曲线物理过程的分析表明,工作频率以及铁电电滞回线是否饱和对C-V特性有较大影响,而C-V曲线的窗口与MFIS结构存储特性密切相关。     

最小二乘拟合计算有机薄膜晶体管阈值电压的研究

通过制备了一个基于并五笨为有源层的顶栅底接触OTFT器件获取电流电压实验数据,并运用电流电压特性曲线理论拟合计算方法计算其阈值电压.研究发现,采用不同的拟合方法得到的阈值电压值有较大的差异.若选取转移特性曲线线性区距中心1/2范围内测试点进行最小二乘拟合计算出的阈值电压能减少采用其他拟合方法的固有不准确性,而且与其他方法得到阈值电压最接近.     

对称薄膜双栅MOSFET温度特性的研究

文章对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究。首先对其进行理论分析,得到亚阈值电流、阈值电压和饱和电流等随温度的变化关系,并计算出理论结果,再用Medici模拟仿真加以验证,比较了不同温度下的输出特性、饱和漏电流、阈值电压与温度变化的关系,验证结果表明两者是一致的。