碘化汞单晶体的生长与品质研究

报道了用温度振荡法(TOM)进行碘化汞(HgI_2)大单晶体的生长过程。并对晶体的形态、结构、化学配比和位错密度等进行了研究,结果表明,TOM是生长大尺寸优质HgI_2单晶体的有效方法。     

碘化汞室温X射线探测器的研制

碘化汞室温Ｘ射线探测器的研制李正辉，邹联隆，曹瑞钦，李伟堂（材料科学系）自本世纪７０年代初Ｗｉｌｌｉｎｇ等首先用碘化汞（ＨｇＩ２）晶体制成室温半导体核辐射探测器［１］以来，该晶体在生长和应用等方面都取得了很大的进展［２～４］．由于ＨｇＩ２晶体有效原子...     

高纯元素合成磺化汞及其单晶的生长

研究了“真空冷指升华法”制备高纯碘（I2）；采用“三温区汽相合成法”将高纯汞（Hg)与高纯碘合成碘化汞（HgI2);α-HgI2单晶的“三温区定点成核法”的汽相生长，分析讨论了温度场对晶体生长的影响，实验结果表明：汞与碘合成时对碘源区，汞源区，碘化汞沉积区分别设置成不同的合适温度，在合成时碘的量比按化学配比的计算值过量5％左右，且在长晶时对原料进行碘处理的方法能确保HgI2的纯度及汞与碘的最佳化学比，长晶时源区温度在125－126℃，长晶区温度在111－112℃，源区与长晶区的温度梯度为1℃/cm，这样在生工安瓿中所形成的温度场对晶体的生长是比较适宜的。     

碘化汞晶体的品质鉴定

用气相定点成核法生长出碘化汞单晶体，借助光电流，紫外－可见光谱，傅里叶变换红外光谱和拉曼谱的测量来表征。结果表明，碘化汞晶体中不含Ｈｇ２Ｉ２杂质，晶体质量达到制作探测器和固态光电探测器的水平。