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碘化汞单晶体的生长与品质研究
引用本文:朱世富,李正辉.碘化汞单晶体的生长与品质研究[J].四川大学学报(自然科学版),1991,28(3):309-313.
作者姓名:朱世富  李正辉
作者单位:四川大学材料科学系 (朱世富,李正辉,冉玉俊),四川大学材料科学系(陈观雄)
摘    要:报道了用温度振荡法(TOM)进行碘化汞(HgI_2)大单晶体的生长过程。并对晶体的形态、结构、化学配比和位错密度等进行了研究,结果表明,TOM是生长大尺寸优质HgI_2单晶体的有效方法。

关 键 词:碘化汞  单晶  晶体生长  温度振荡法

CRYSTAL GROWTH AND QUALITY STUDY OF MERCURIC IODIDE
Zhu Shifu Li Zhenghui Ran Yujun Chen Guanxiong.CRYSTAL GROWTH AND QUALITY STUDY OF MERCURIC IODIDE[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),1991,28(3):309-313.
Authors:Zhu Shifu Li Zhenghui Ran Yujun Chen Guanxiong
Institution:Department of Materials Science
Abstract:In this paper the growth process of HgI2 crystal by modified Temperature Oscillation Method(TOM) is reported. During the experiment, we measured crystal perfection, crystal structure, stoichiometry ratio and dislocation density.The results suggest that TOM be an excellent method for producing qualified HgI2 single crystal.
Keywords:mercuric iodide  single crystal  crystal growth method  temperature oscillation method  
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