真空蒸发法制备聚酯衬底ITO透时导电膜及其光电特性

采用真空反应蒸发技术，在聚酯薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性及制备条件薄膜性能的影响进行了研究。     

高温超导薄膜的最新进展

本文介绍了高温超导薄膜的最新进展。从超导电子学器件制备工艺的角度强调了薄膜均匀性和平整度、薄膜对平面工艺过程的适应能力以及薄膜衬底的选择等问题的重要性。侧重介绍了制备超导薄膜的各种实验技术的基本实验条件、方法和结果。     

铅锑复合渣于低温真空蒸发直接制备纳米Sb2O3

以铅锑复合渣为原料,用低温真空蒸发法直接制备纳米Sb2O3.通过XRD、激光粒度仪、SEM和白度仪分别对Sb2O3的结构、形貌、粒度和白度进行表征,探讨温度、残压、时间等对Sb的蒸发率以及Sb2O3的纯度、白度和粒度的影响.研究结果表明：在温度为893 K、残压为250 Pa和时间为2 h的条件下,纳米Sb2O3具有立方晶型,其平均颗粒粒度为72 nm,比表面积为15.5 m^2/g,白度为90.0%,纯度为98.50%.     

真空蒸发制备（Cd,Zn）S薄膜及性能研究

用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得了透明的（Ｃｄ,Ｚｎ）Ｓ薄膜,薄膜为纤锌矿结构,具有沿〔００２〕晶向的择优生长取向．薄膜的性能随Ａ值（Ａ＝ＺｎＳＺｎＳ＋ＣｄＳ）和蒸发条件而变化,薄膜为ｎ型材料,呈高阻状态,在可见光范围内有良好的透过率     

双源真空蒸发制备CdS/CuInSe_2多晶异质结薄膜太阳电池

用双源真空蒸发制备CdS/CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池,并对电池的性能进行测试.在AM1.5,100mW/cm2的碘钨灯下,对1cm2的太阳电池测得其最大转换效率为6.2%.     

双源真空蒸发制备CdS／CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池

用双源真空蒸发制备CdS/CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池,并对电池的性能进行测试。在AM1．5,100mW/cm^2的碘钨灯下,对1cm^2的太阳电池测得其最大转换效率为6．2％。     

室温下金属铝膜的霍尔效应初步研究

采用真空蒸发镀膜法制备了金属铝薄膜,在室温下,用四探针法测量了样品的电阻率和霍尔系数。结果表明,制成的金属铝膜,电阻率由块体材料的10^-8Ω·m 增大到薄膜样品的10^-5Ω·m;霍尔系数由块体材料的10^-11m³/C数量级左右增大到10^-4m³/C数量级;电阻率和霍尔系数随着金属铝膜厚度的减小而逐渐增大。     

酞菁铜有机静电感应三极管的研制

采用真空蒸镀和磁控溅射等工艺,利用纯度为99.995％的有机材料酞菁铜（简称CuPc）,试制了Cu／CuPc／AI／CuPc／Cu5层结构的有机静电感应三极管。在室温下测试栅极Al／CuPc的肖特基势垒特性,发现它具有良好的整流特性;通过对该三极管特性进行测试研究,结果表明,该三极管驱动电压低,呈不饱和I-V特性,且其工作特性依赖于铝栅极的电压。     

宽带增透膜工艺的优化与性能分析

为满足望远镜等光学系统中光学元件可见光范围宽光谱增透的要求,根据Tfcale软件优化设计膜系,使用离子辅助沉积,晶振膜厚控制仪,电子束热蒸发镀膜方法,通过对镀膜工艺参数的不断改进和调整,制备了400~700nm的宽带增透膜。结果表明:所制作的可见光增透膜平均反射率达到0.36%,优于望远镜等光学系统的增透要求。