基于Cu和TiN盖层的Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性能比较研究

该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜，并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器掠入射X射线衍射测试表明，TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响极化 电压测试表明，TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下，剩余极化强度 (2Pr) 值分别为40.4 μC/cm2和21.2 μC/cm2相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V极化疲劳与保持特性测试表明，在经过2.3×108循环次数后，以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2Pr值分别衰减了39.7%和45.6%经过1.3×104 s保持测试，TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2Pr值从初始34.4 μC/cm2和17.1 μC/cm2分别下降到了22.6 μC/cm2和1.6 μC/cm2上述结果说明，金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴，将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管     

大尺寸单晶金刚石同质连接技术

介绍了制备人造单晶金刚石的技术途径及发展现状,重点讨论并对比了几种化学气相沉积法(CVD)金刚石制备技术的优缺点,详细阐述了基于微波等离子体CVD (MPCVD)法的同质连接技术——一种突破晶体尺寸限制,实现大尺寸单晶金刚石的有效途径。通过该技术实现了英寸级单晶金刚石晶片的制备,并针对横向生长、界面质量及演化、三维结构连接控制等核心科学技术问题进行了分析和讨论,展望了其在尖端应用领域的发展前景。     

喷射共沉积6066Al/SiCp复合材料热处理塑性变化机理分析

研究了T6热处理对6066Al/SiCp复合材料材料力学性能的影响,结果表明,复合材料经530℃固溶1 h后,170℃时效8 h达到峰时效,其抗拉强度达418.6 MPa;复合材料延伸率随时效时间的增加不断降低.     

电位滴定法在聚酰亚胺合成中的应用

未完全环化的酰胺酸对聚酰亚胺的性能有重要影响，用电位滴定法可直接测定其含量。对常规的电位滴定装置进行了改进，用VB语言编写了上位机操作软件，实现了滴定控制、数据采集和处理等功能，建立了一套自动电位滴定测试系统，可用于测定二步法合成聚酰亚胺过程中剩余聚酰胺酸的含量。测定结果表明：数据的重现性好、灵敏度高，且操作方便，为进一步开展聚酰亚胺合成及其亚胺化动力学研究提供了可行的途径。     

无线通讯机房雷电防护的特殊处理

本文研究了无线通信某站和设备在采用一般的建筑物防雷击外而采取的特殊防雷击措施。     

马庄煤矿探找山西组9煤的实践研究

马庄煤矿煤炭资源日益枯竭,濒临停产关闭,通过探找煤以扩大资源储量迫在眉睫。依据勘探、补勘和几十年的生产实践地质资料,对山西组煤系的沉积环境与煤层的形成条件进行了深入的研究,掌握了煤层的沉积特征和聚煤模式,采用钻探和巷探,确定了井田北翼山西组9煤的可采范围,新增加资源储量101.0万吨,具有良好的经济效益和社会效益。     

反应气压对生长金刚石膜的影响

实验以CH3CH2OH和H2 为气源,用微波等离子体CVD法沉积金刚石膜,并用金相显微镜(×400)观察其沉积效果,X射线衍射仪表征其成膜质量,最后分析反应气压对金刚石膜的影响.     

均匀带电圆环的电势

从电势的一般概念出发得出均匀带电圆环的公式，并讨论在极限情况下约化为均匀带电细圆环的电势公式。     

催化电位法测定人发中痕量碘

采用碱灰化法消解发样,于中性溶液中离心去除杂质,在酸性溶液中以催化电位法测定发碘含量,回收率达98.6％;变异系数(CV)为8.7％;测出中碘地区一个教学班20名男学生发碘平均含量为0.93μg/g,与文献报道相近。