非线性带涂层圆柱形复合介质的电势分布

利用摄动方法,研究了在外加交流电场E=E1sinωt+E2sin3ωt+E5sin5ωt的作用下,非线性带涂层圆柱形复合介质的电势分布,这种介质的电流密度J和电场强度E之间满足的关系为Jα=σαE+χα|E|2E。     

半导体外延掺杂的深度分布——"修正的"余误差分布

在制造半导体器件的外延工艺中,外延生长时通常要掺入杂质.如果杂质的扩散系数很小,杂质在外延层中的深度分布是均匀的;如果杂质的扩散系数较大,半导体在外延生长过程中,杂质还有较明显的扩散,也会扩散到衬底中去.杂质浓度随深度分布不仅和杂质的扩散系数有关,还和外延生长速度及外延生长时间有关.从理论上推导出掺杂外延生长时杂质浓度深度分布表达式——"修正的"余误差分布;并根据该表达式绘出不同扩散系数和不同外延生长条件下的杂质浓度深度分布图;讨论了由杂质浓度深度分布确定扩散系数的实验条件.     

关于PN结的接触电位差

通过对突变ＰＮ结接触电位差关系式推导证明硅和锗二极管导通电压值。     

二极管非超突变结C-V幂律分析

 基于杂质浓度分布的突变结或线性缓变结模型,二极管p-n结（电）容—（电）压关系可简单地由C-V幂律描述。精密的实验测量数据显示,采用指数n=1/2或n=1/3不足以全面描述非超突变结C-V关系。通过引入杂质浓度幂函数分布规律并利用泊松方程,从而获得二极管p-n结C-V幂律通式,而指数n=1/2或n=1/3仅是新模型的特例。运用合理的数据处理技术,由一系列实验结果说明该幂律分析方法更具普适性。     

P沟道恒流二极管的电流扩展方法

介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制作,得到兼容后的结构,并对兼容结构进行了特性仿真。介绍了工艺流程,讨论了沟道长度、沟道厚度、沟道杂质浓度、基区宽度等结构参数对器件特性的影响。并用该兼容工艺将P沟道恒流二极管的恒定电流值放大了73倍。     

双汞探针C—V法测试硅材料杂质浓度分布

鉴于单汞探针C-V法测试半导体材料杂质浓度分布还有不方便之处及不能准确测试n/p;p/n等异型多层结构外延片电阻率分布的弊病,本文提出了双汞探针C-V法。文章中阐述了这种方法的测试原理和测试可行性分析。对各种硅材料样片大量测试结果表明:这种方法即方便又准确,测试结果的重复性相当好。     

OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究

本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。     

超高纯锗多晶材料的制备

作为高纯锗核辐射探测器的锗单晶材料,要求其净杂质浓度小于2×10~(10)cm~(-3)。要想制备如此高纯度的锗单晶,首先要获得相当于净杂质浓度为10~(10)cm~(-3)量级的多晶材料。由于它受到各方面因素的制约,因此这是一项相当困难的事情。本文使用国产材料,通过区域提纯方法,获得了超高纯锗多晶材料,其净杂质浓度约为10~(10)cm~(-3)量级。     

二极管p－n结杂质浓度分布模型改进

 简化的突变结或线性缓变结模型已能很好地近似二极管p－n结杂质浓度分布规律，但从精密的实验测量结果中发现传统模型存在局限性。基于随机选取常用产品的C－V实验数据，利用泊松方程并结合提出的改进模型，可以更准确地描述p－n结杂质浓度分布。虽然部分样品C－V关系可由指数1/2或1/3独立表示，但数据拟合分析显示采用指数n=1/2和n=1/3两模型分量共同描述更合理。模型改进可获得更准确的p－n结杂质浓度分布规律及物理参数。