半导体外延掺杂的深度分布——"修正的"余误差分布

在制造半导体器件的外延工艺中,外延生长时通常要掺入杂质.如果杂质的扩散系数很小,杂质在外延层中的深度分布是均匀的;如果杂质的扩散系数较大,半导体在外延生长过程中,杂质还有较明显的扩散,也会扩散到衬底中去.杂质浓度随深度分布不仅和杂质的扩散系数有关,还和外延生长速度及外延生长时间有关.从理论上推导出掺杂外延生长时杂质浓度深度分布表达式——"修正的"余误差分布;并根据该表达式绘出不同扩散系数和不同外延生长条件下的杂质浓度深度分布图;讨论了由杂质浓度深度分布确定扩散系数的实验条件.     

煤矿井下信集闭系统远地智能分站的研究

针对中小型煤矿井下轨道运输的实际情况，对分布式计算机控制信集闭系统的远地智能分站的功能、总体结构、软硬件实现及抗干扰能力进行了研究、设计。该分站具有结构简单、抗干扰能力强等特点。     

单轨双向运输方式信集闭系统的研究

对某矿井下运输监控系统的研究、设计和使用,总结了我国中小型煤矿单轨双向运输方式“信集闭”系统的特点和实施方案。对使用可编程序控制器的方案进行了分析。     

N/P硅外延片的少子扩散长度测量

本文提出了用N/P硅外延片的结光电压光谱响应确定N/P硅外延片中少子扩散长度的方法.导出了入射光强1和结光电压V、光吸收系数a的理论关系,其中包含了外延层和衬底少子扩散长度的信息.     

体外心肺复苏器拖动系统直流激磁电路分析

从脉动和运行性能方面分析了体外心肺复苏器拖动系统半波供电的直流激磁电路的优缺点，指出应改为全波整流供电的必要性。