| P沟道恒流二极管的电流扩展方法 |
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| 引用本文： | 鲁冬梅,刘桥,杨发顺,陈睿.P沟道恒流二极管的电流扩展方法[J].贵州大学学报(自然科学版),2015,32(2):47-49. |
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| 作者姓名： | 鲁冬梅 刘桥 杨发顺 陈睿 |
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| 作者单位： | 贵州大学 贵州省贵阳市微纳电子与软件重点实验室,贵州贵阳,550025 |
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| 摘 要： | 介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制作,得到兼容后的结构,并对兼容结构进行了特性仿真。介绍了工艺流程,讨论了沟道长度、沟道厚度、沟道杂质浓度、基区宽度等结构参数对器件特性的影响。并用该兼容工艺将P沟道恒流二极管的恒定电流值放大了73倍。
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| 关 键 词： | P沟道恒流二极管 电流扩展 沟道长度 沟道厚度 沟道杂质浓度 基区宽度 |
The Current Expansion Method of P-channel Current Regulative Diode |
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| LU Dong-mei,LIU Qiao,YANG Fa-shun,CHEN Rui.The Current Expansion Method of P-channel Current Regulative Diode[J].Journal of Guizhou University(Natural Science),2015,32(2):47-49. |
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| Authors: | LU Dong-mei LIU Qiao YANG Fa-shun CHEN Rui |
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| Institution: | LU Dong-mei;LIU Qiao;YANG Fa-shun;CHEN Rui;Guiyang Micronanoelectronics and Software Key Laboratory,Guizhou University; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | P-channel current regulative diode current expansion channel length channel thickness channel impurity concentration base width |
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