施主杂质量子点的光折射率

利用精确对角化方法计算了两个电子在施主杂质抛物势量子点的能量和波函数,通过密度矩阵方法得到光折射率改变量的表达式,在这基础上计算了杂质量子点由1S态跃迁到1P态的光折射率改变量,并对杂质的电荷量不同的杂质量子点的结果进行分析.     

Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结中的束缚极化子

对半导体单异质结系统，引入三角势近似异质结势，考虑电子、杂质与声子的相互作用，利用改进的LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量，对Zn1-xCdSe/ZnSe系统的杂质态结合能进行了数值计算，给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系，结果表明，杂质－声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负。     

施主态氧沉淀的微观分布

本文利用扩展电阻研究了低温退火及低-高温二步退火后P-CZ硅中新施主的微观分布。指出在新施主的氧沉淀界面模型下,通过扩展电阻法测量新施主的分布提供了确定氧的微小沉淀的一个灵敏的方法,其灵敏度取决于原始电阻率,新施主的分布可以通过讨论氧沉淀的分布,氧沉淀动力学过程以及晶体生长的液流模型得到解释。     

Ⅲ族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响

在有效质量近似下，运用变分方法，考虑内建电场效应和量子点（QD）的三维约束效应的情况下，研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明：当类氢施主杂质位于量子点中心时，对于InxGa1-xN／GaN量子点，量子点高度和In含量存在临界值，当参数大于临界值时，约束在QD中束缚激子的结合能升高，激子态的稳定性增强，提高了激子的离解温度，使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN／AlxGa1-xN量子点中激子的结合能升高，载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN／AlxGa1-xN量子点，杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时，束缚激子的结合能最大，系统最稳定；随着施主杂质下移，激子结合能减小，激子的离解温度下降。     

量子阱中中性施主束缚激子的性质

在有效质量近似下,采用两参数波函数变分地计算了杂质在阱心和阱边两种情况下,量子阱中中性施主束缚激子(D0,X)体系的束缚能和激子质心波函数对于不同阱宽随坐标的分布及粒子间的平均距离随阱宽的变化,得到了较好的结果,并对结果进行了详尽的分析和讨论.     

Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结系统的施主能级

对单异质结界面系统,引入三角近似异质结势,利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量。对Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ系统的杂质态结合能做了数值计算,给出结合能随杂质位置、电子面密度和Ｃｄ组分的变化关系。     

锑在硼砂溶液中阳极极化膜半导体性质的研究（续）

本工作利用白光电流和交流阻抗法研究了锑在０．０５ｎ１Ｏｌ·ｄｍ￣（－３）Ｎａ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７＋、０．５ｍｏｌ·ｄｍ“Ｎａ２Ｓｏ４溶液中（ＰＨ一９．ｌ，３０Ｃ）于１．２ｖ（ｖＳ。ＳＣＥ）阳极形成膜的半导体性质。实验结果表明，该阳极膜是一种ｎ型半导体，其平带电位为一０．３６Ｖ，施主密度为２．８×ｌ０￣１８ｃｍ￣（－３）。讨论了锑增加对在硫酚溶液中形成的阳极ｐｂ（Ⅱ）氧化物膜生长的影响。     

PTCR陶瓷材料的半导化及显微组织的研究

研究了PTCR陶瓷半导化过程。使用sol-gel法合成（Ba0.8Sr0.2)TiO3超细微粉,掺入钇元素及烧结助剂,在合理的温度制度下浇成PTCR陶瓷。为跟踪陶瓷半导化过程,在不同温度阶段冷却陶瓷样品和在升温阶段不同温度点冷却陶瓷样品,利用SEM、XRD进行分析陶瓷的结构,利用交流阻抗仪分析陶瓷施主浓度,结果表明PTCR陶瓷半导化仅与升温阶段有关。     

无限深球形量子点中类氢杂质态的性质

选用含有2个变分参数的波函数,利用变分法计算了无限深球形量子点中施主杂质态的束缚能、杂质有效玻尔半径、维里定理值等随量子点尺度的变化关系.计算结果表明,该模型的结果比选用1个变分参数波函数得到的结果有所改进.     

围观花和尚

正不论中外,对修道之人情欲的揣测,都出自一种触犯禁忌的刺激心理。薄迦丘写《十日谈》,许多黄段子都跟修道士有关。中国人也爱如此。《水浒》这种名著,公开引苏轼段子道:"一个字便是僧,两个字是