基于Cu和TiN盖层的Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性能比较研究

该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜，并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器掠入射X射线衍射测试表明，TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响极化 电压测试表明，TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下，剩余极化强度 (2Pr) 值分别为40.4 μC/cm2和21.2 μC/cm2相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V极化疲劳与保持特性测试表明，在经过2.3×108循环次数后，以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2Pr值分别衰减了39.7%和45.6%经过1.3×104 s保持测试，TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2Pr值从初始34.4 μC/cm2和17.1 μC/cm2分别下降到了22.6 μC/cm2和1.6 μC/cm2上述结果说明，金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴，将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管     

大尺寸单晶金刚石同质连接技术

介绍了制备人造单晶金刚石的技术途径及发展现状,重点讨论并对比了几种化学气相沉积法(CVD)金刚石制备技术的优缺点,详细阐述了基于微波等离子体CVD (MPCVD)法的同质连接技术——一种突破晶体尺寸限制,实现大尺寸单晶金刚石的有效途径。通过该技术实现了英寸级单晶金刚石晶片的制备,并针对横向生长、界面质量及演化、三维结构连接控制等核心科学技术问题进行了分析和讨论,展望了其在尖端应用领域的发展前景。     

喷射共沉积6066Al/SiCp复合材料热处理塑性变化机理分析

研究了T6热处理对6066Al/SiCp复合材料材料力学性能的影响,结果表明,复合材料经530℃固溶1 h后,170℃时效8 h达到峰时效,其抗拉强度达418.6 MPa;复合材料延伸率随时效时间的增加不断降低.     

新型立体垂直塔板的开发现状

新型立体垂直筛板是近年来应用较为广泛的一种筛板,其主要特点是气液并流接触,传质在塔板空间内进行.本文对近年来开发的几种新型立体垂直筛板进行了详细的介绍,对其流体力学性能进行了比较,并对其发展前景进行了预测     

板料成形数值模拟中摩擦的处理及应用

针对板料成形过程中工件与模具不同的接触条件，采用常摩擦模型，提出相应的摩擦应力的处理方法．在此基础上，通过实际的模拟分析，证明了该处理方法的可行性．同时探讨了摩擦对成形结果的影响．模拟结果表明，板料与凹模和压边圈之间的摩擦阻碍了金属向凹模内流动，对板料拉深成形是不利的，而增大凸模与板料之间的摩擦则可以有效限制制件侧壁的变薄，这对成形是有利的．     

马庄煤矿探找山西组9煤的实践研究

马庄煤矿煤炭资源日益枯竭,濒临停产关闭,通过探找煤以扩大资源储量迫在眉睫。依据勘探、补勘和几十年的生产实践地质资料,对山西组煤系的沉积环境与煤层的形成条件进行了深入的研究,掌握了煤层的沉积特征和聚煤模式,采用钻探和巷探,确定了井田北翼山西组9煤的可采范围,新增加资源储量101.0万吨,具有良好的经济效益和社会效益。     

反应气压对生长金刚石膜的影响

实验以CH3CH2OH和H2 为气源,用微波等离子体CVD法沉积金刚石膜,并用金相显微镜(×400)观察其沉积效果,X射线衍射仪表征其成膜质量,最后分析反应气压对金刚石膜的影响.     

C30级喷射混凝土在混凝土结构加固中的应用和质量控制

本文介绍了C30级喷射混凝土在建筑物加固改造中应用和质量控制,着重介绍喷射混凝土的应用实例,为建筑加固的设计人员和业主提供选择方案。     

氯仿在悬浮TiO2体系中的降解

分别用光还原沉积法制备的掺铂TiO2纤维和商用TiO2作为催化荆，对氯仿进行光催化降解。通过测定Cl^-浓度发现不同通O2方式对氯仿的光降解有很大影响，O2的存在，促进了氯仿的降解；并进一步对溶液中的溶氧量(DD)测定，发现DO值呈线性下降且氯仿降解过程中有氧降解和无氧降解2种机理是共存的；同时发现上述2种催化剂的反应现象大相径庭，并结合了有机质液相吸附理论对其反应现象进行分析，发现纤维状微观结构是其高光催化性能的直接原因。