大尺寸单晶金刚石同质连接技术

介绍了制备人造单晶金刚石的技术途径及发展现状,重点讨论并对比了几种化学气相沉积法(CVD)金刚石制备技术的优缺点,详细阐述了基于微波等离子体CVD (MPCVD)法的同质连接技术——一种突破晶体尺寸限制,实现大尺寸单晶金刚石的有效途径。通过该技术实现了英寸级单晶金刚石晶片的制备,并针对横向生长、界面质量及演化、三维结构连接控制等核心科学技术问题进行了分析和讨论,展望了其在尖端应用领域的发展前景。     

集成电路设计产业产品创新趋势研究——国际片上系统（SOC）IP核发展现状及对策分析

基于国际集成电路设计产业的分析，系统阐述了国际SOCIP核的发展状况，指出SOC设计将是集成电路设计企业技术创新的发展方向。提出了一些国际SOCIP核发展的对策，包括口核标准化、SOC技术平台开发及加强与Foundry的合作。     

浅谈智能模糊控制恒压供水系统

文章介绍在变频恒压供水系统的基础上采用智能模糊控制等特性来完成恒压供水。     

HPLC法测定小儿导赤片中大黄素含量

目的:建立用高效液相色谱(HPLC)法测定小儿导赤片中大黄素的含量.方法:采用HPLC法,色谱柱为Agilent ZORBAXSB-C18(4.6mm×150 mm,5μm),流动相为甲醇-0.1%磷酸水溶液(80:20),流速为1.0 ml/min,柱温为30℃,检测波长为254nm.结果:大黄素在0.04～0.4μg(r=0.999 9)范围内有良好的线性关系.大黄素平均回收率分别为98.25%.结论:该方法操作简便、快速、结果准确可靠.     

反应气压对生长金刚石膜的影响

实验以CH3CH2OH和H2 为气源,用微波等离子体CVD法沉积金刚石膜,并用金相显微镜(×400)观察其沉积效果,X射线衍射仪表征其成膜质量,最后分析反应气压对金刚石膜的影响.     

单片机在数控机床上的应用研究

本文研究将ＭＣＳ－５１型单片机用于普通数控机床，通过监控程序设计，进一步完善机床性能，使该系统具有显示功能，快速点动、自动四零、自动升降频率、自动换刀、自动齿隙补偿、刀具磨损补偿，暂停等多种功能．     

大尺寸充气体黑洞中激光等离子体相互作用

本文是根据Ｒ．Ｅ特内、Ｒ．Ｌ考夫曼等人之作编译而成。大尺寸充气体黑洞具有类似于国家点火装置（ＮＩＦ），所预期的等离子体条件，可用来测量受激布里渊散射（ＳＢＳ）。上述等离子体是热的（３ｋｅＶ），电子密度高，处于似稳态，而在大于２ｍｍ长度上是均匀的。另外，还介绍了类似的ＮＩＦ照射条件，低ＳＢＳ背光的观测。     

TP—801多功能快速固化卡的硬件电路

本文作者提出 TP—801多功能快速固化卡的硬件电路设计方案,极大程度地加强了 TP—801A单板机程序固化能力的硬件实现.并对它的电路组成及其原理进行了讨论.产品化的实践表明:它不仅赋予了 TP—801A 单板机灵活快速地编程 EPROM2716～27512和单片机8751与8748/49的能力,而且也具有简单价廉易于实现的特点.