Preparation of organic thin-film field effect transistor

The organic thin-film field effect transistor was prepared through vacuum deposition by using teflon as di-electric material. Indium-tin-oxide acted as the source and drain electrodes. Copper phthalocyanine and teflon were used as the semiconductor layer and dielectric layer, respectively. The gate electrode was made of Ag. The channel length between the source and drain was 50 μm. After preparing the source and drain electrodes by lithography, the copper phthalocyanine layer, teflon layer and Ag layerwere prepared by vacuum deposition sequentially. The field effect electron mobility of the device reached 1.1×10ˉ6 cm2/(V@s), and the on/off current ratio reached 500.     

一种两亲性酞菁的合成及其光谱研究

用硅胶负载法合成了一种两亲性不对称取代酞菁三-α-(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)-β-(4’-羧基苯氧基)酞菁铜.紫外可见吸收光谱的研究表明,与脂溶性的四-α-(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁铜相比,该两亲性酞菁的最大吸收波长和吸收带的形状受溶剂的影响更大,在水中其聚集态可以被阳离子表面活性剂解聚,而受阴离子表面活性剂的影响不大.     

四-α(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁铜LB膜制备及电子吸收光谱研究

将四-a(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁铜在亲水基片上以Z型成膜方式拉制了多层LB膜。膜崩溃压为60 mN·m-1,分子极限面积为0.33nm2。研究了酞菁铜的成膜条件,表明LB膜形成与水的纯度、铺展剂、铺展量、推膜速度等因素有关。不同层数的酞菁铜LB膜的紫外可见光谱表明,在LB膜中酞菁铜分子之间是以J-聚集形态存在。     

卟啉,酞菁化合物荧光量子产率的溶剂效应

测定了大环共轭体系卟啉和酞菁在１１种溶剂中的荧光光谱，发现体系的最大荧光发射波长λｍａｘ受溶剂的影响较小，而荧光量子产率受溶剂的影响较大，在非质子性溶剂中，两种化合物的荧光量子产率和溶剂极性参数间存在一定的线性关系，在质子性溶质中，化合物的荧光量子产率相对于在非质子性溶剂中降低很多，这可能是有氢键形成的缘故。     

四磺基金属酞菁类染料共振光散射法测定人血清白蛋白

在pH为2.0的Clark-Lubs缓冲溶液条件下,人血清白蛋白与四磺基金属酞菁类染料结合,使共振光散射急剧增强,并产生新的共振光散射光谱.不同体系在质量浓度0～3.0 mg/L范围内,共振光增强,与人血清白蛋白浓度呈线性关系,检出限为0.033～0.100 mg/L.表明四磺基金属酞菁类染料都可以作为共振光散射试剂测定人血清白蛋白.考察了某些共存物质的影响,初步讨论了反应机理.     

金属酞菁LB膜的制备及结构表征

研究了金属酞菁化合物四（２，４－二甲基苯氧基）酞菁铜和四（２，４－二甲基苯氧基）酞菁镍在汽－液界面上的成膜特性，制备了相应的Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）膜。利用紫外可见吸收及偏振紫外可见吸收谱，表征了ＬＢ膜中的酞菁分子主要以二聚体的形式相对于基片水平排列。以酞菁ＬＢ膜为取向层制成液晶盒，取向向列型液晶Ｅ＿７。通过偏光显微镜及锥光干涉系统，确定液晶分子在ＬＢ膜上的排列情况，并进行了电光测试，讨论了导致不同取向效果的机理。     

酞菁钴磺酸盐的制备、结构表征及催化性能

合成了酞菁钴磺酸盐配合物，进行了结构表征和催化脱硫性能的考察。     

烷氧基取代金属酞菁的合成及其光谱特性研究

合成了一种烷氧基取代的 3-硝基邻苯二腈 ,分别用红外和核磁谱图表征。用这种烷氧基取代的 3-硝基邻苯二腈合成了金属中心酞菁 ,并与咪唑进行了轴向配位 ,通过紫外吸收谱图比较 ,最大吸收波长发生明显的红移 ,同时酞菁的溶解性也相应的得到提高