利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。     

同步整流器驱动方式对开关电源效率的影响

在低电压大电流输出的开关电源中，输出整流器的功率损耗是影响效率的关键因素，本文详细地分析了在采用功率ＭＯＳＦＥＴ实现整流输出的同步整流中技术中，同步整流器的驱动方式对电源效率的影响，指出采用控制驱动的方式可比自驱动方式获得更高的效率。     

基于栅极信号的功率器件老化特征分析

本文研究栅极动态信号在功率器件故障预测上的应用.首先介绍了功率器件栅极动态信号反映的相关失效机制,并分析了栅极动态信号的老化特征及影响因素.提出了老化特征提取方法,选定动态过程时间,动态过程面积比率作为老化特征.使用降频错位采样的方法还原高频采样下计算的老化特征,降低利用动态信号进行故障预测的采样频率,以提高方法可行性.通过NASA公布的数据集进行实验验证,提取的老化特征明显,降频采样达到了预期效果.     

高k栅MOSFET栅–源/漏寄生电容的半解析模型

文章针对高k栅MOSFET的栅介质层及其侧壁掩蔽层提出了一个二维定解问题,求出了二维电势和电荷分布.文章根据栅极电荷与栅源及栅漏电压关系,提出了MOSFET的栅极和源极/漏极之间的寄生电容的模型,用半解析法计算了这些寄生电容,得到了寄生电容与几何尺寸之间的关系.文章的计算结果表明改变栅极电介质常数可以得到一个寄生电容的最小值,计算结果与CST仿真结果能够很好地符合.     

对称薄膜双栅MOSFET温度特性的研究

文章对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究。首先对其进行理论分析,得到亚阈值电流、阈值电压和饱和电流等随温度的变化关系,并计算出理论结果,再用Medici模拟仿真加以验证,比较了不同温度下的输出特性、饱和漏电流、阈值电压与温度变化的关系,验证结果表明两者是一致的。     

晶闸管——功率场效应管斩波器工作过程分析

本文提出了一种SCR—powerMOSFET斩波器的方案,即采用powerMOSFET作为斩波器辅控元件,用容量较小的powerMOSFET实现对容量较大的普通晶闸管的控制。试验结果证明了方案的可行性和分析的正确性。     

利用回波模拟对激光测距精度检验系统的设计

为解决激光测距在实际测量中受外部因素而导致结果不准确的问题, 设计了一种回波模拟系统对实测结 果进行检验。 测距系统向回波系统发射一束窄脉宽激光, PIN(Positive Input Negative)对激光采集和光电转换, 将转换完成的电信号发送至 FPGA(Field-Programmable Gate Array)中, FPGA 通过内置 PLL(Phase Locked Loop) 对电信号进行 15 倍频操作和高精度延时。 激光驱动部分利用 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)管开关性质产生窄脉冲信号, 对激光器进行调制模拟实际测量中的回波激光,最后在测距系统中得 出模拟结果。 通过对同一距离和不同距离的多次测量结果表明, 系统稳定性较高, 精度达到 0. 17 m, 误差为 0. 03 m。     

窄栅效应的二维数值分析

在MOS器件的二维窄栅效应(NGE)的数值分析中;引入了迁移率模型.改进了chung-Sah的常数迁移率近似的结果.发现其电导曲线的斜率随棚压增大由增加变为减少;其阈值电压的窄栅效应变化比常数迁移率时的大,并提出了新的窄栅效应阈值电压模型公式.当从实验上或二维计算中已知一个窄栅器件以及宽栅器件的电导——栅压特性后,就可推知其它栅宽器件的阈值电压.此模型公式用二维计算值及实验值进行了验证.     

亚微米埋沟pMOSFET阈电压模型

亚微米埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ的阈电压模型，该模型考虑了热电子发射等短沟道效应。只要对模型中的符号作相应改变，则可作为ｎＭＯＳＦＥＴ的模型。     

亚90nm沟道MOSFET亚阈值状态下二维电势和阈值电压的半解析模型

本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型．文章首先根据短沟道MOSFET在亚闽值状态下的物理模型提出定解问题，然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开，得到关于未知量的线性代数方程组．求出了氧化层和空间电荷区的二维电势、耗尽层厚度和阈值电压的表达式．该模型不需要适配参数，运算量小，避免了方程离散化，计算精度与数值解精度相同．文章给出了沟道长度为90nm以下MOSFET的电势分布、表面势、耗尽层厚度和阈值电压计算结果．计算值与二维数值模拟值高度吻合．