高k栅MOSFET栅–源/漏寄生电容的半解析模型

文章针对高k栅MOSFET的栅介质层及其侧壁掩蔽层提出了一个二维定解问题,求出了二维电势和电荷分布.文章根据栅极电荷与栅源及栅漏电压关系,提出了MOSFET的栅极和源极/漏极之间的寄生电容的模型,用半解析法计算了这些寄生电容,得到了寄生电容与几何尺寸之间的关系.文章的计算结果表明改变栅极电介质常数可以得到一个寄生电容的最小值,计算结果与CST仿真结果能够很好地符合.     

一种改进的VSLMS算法

根据几种变步长最小均方误差(VSLMS)算法的特性,把它们分为2类.把2类VSLMS算法的步长公式结合起来,提出一种改进的VSLMS算法.对改进前后的算法进行仿真实验,实验结果表明,改进算法同时获得了2类算法的优良性能,在收敛性、稳态误差及跟踪性方面都有显著提高.     

功率LDMOS阈值电压温度系数的优化分析

讨论高压LDMOS阈值电压的温度特性,并给出了它的温度系数计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:通过提高沟道掺杂浓度或减少栅氧化层能够降低阈值电压随温度的变化.阈值电压的温度系数可以用温度的线性表达式来计算,从而可以得出功率LDMOS阈值电压的温度系数最优化分析.     

基于形状配准方法的研究与改进

图像配准技术是近年来发展迅速的图像处理技术之一,本文分析了基于形状配准方法的特点,并提出了一种改进的基于面的配准方法,该方法在保持基于面配准精度的同时减少了计算量。     

亚90nm沟道MOSFET亚阈值状态下二维电势和阈值电压的半解析模型

本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型．文章首先根据短沟道MOSFET在亚闽值状态下的物理模型提出定解问题，然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开，得到关于未知量的线性代数方程组．求出了氧化层和空间电荷区的二维电势、耗尽层厚度和阈值电压的表达式．该模型不需要适配参数，运算量小，避免了方程离散化，计算精度与数值解精度相同．文章给出了沟道长度为90nm以下MOSFET的电势分布、表面势、耗尽层厚度和阈值电压计算结果．计算值与二维数值模拟值高度吻合．     

一种改进的VSLMS算法

根据几种变步长最小均方误差(VSLMS)算法的特性,把它们分为2类.把2类VSLMS算法的步长公式结合起来,提出一种改进的VSLMS算法.对改进前后的算法进行仿真实验,实验结果表明,改进算法同时获得了2类算法的优良性能,在收敛性、稳态误差及跟踪性方面都有显著提高.     

一种用于深亚微米电路模拟的高精度MOST宏模型

提供了一种新的方法,用于建立深亚微米电路中MOST的伏安特性方程.该方法根据深亚微米MOST的数值模拟结果或实测结果,直接将小尺寸MOST特性方程用函数拟合技术,在M atlab中用程序实现,所建立的伏安特性方程没有非饱和区、饱和区的间断点,是一个不分区间的统一表达式.对所得到的结果进行了计算验证,证明了建模方法和结果的正确性.     

研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的一种新方法

提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法——摄动法.使用摄动法来求解泊松方程,使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起作用的耗尽层近似和页面电荷模型在求解过程中被避免,由此可以解得一个指数形式的亚阈值电流的表达式,从而得到关于亚阈值摆幅变化的解析表达式.通过把所建立的解析模型的计算结果和Medici仿真软件的模拟结果进行比较,可以证明该适用于分析亚阈值区工作特性的模型具有相当的准确性和可用性.     

四端硅压力传感器的解析模型

利用正则摄动法,采用合理的边界条件,求解四端硅压力传感器二维电势的偏微分方程,得出了该传感器二维电势的解析表达式;并由此导出了随应力而变的最大输出电压的解析表达式,且给出了输出电压与器件尺寸的精确关系。该模型物理意义明确,参数提取方便,其计算结果与数值解、实验数据较好吻合,可以很方便地进行器件设计和模拟。     

高压功率LDMOS阈值电压温度系数的分析

分析了高压LDMOS在-27℃至300℃温度范围内的温度特性,并给出了阈值电压温度系数的计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:高压LDMOS的阈值电压温度系数在相当宽的温区内是一常数;可用温度的线性表达式来计算阈值电压温度系数;薄栅氧化层和高沟道掺杂浓度可减小高压功率LDMOS的阈值电压温度系数.