大尺寸单晶金刚石同质连接技术

介绍了制备人造单晶金刚石的技术途径及发展现状,重点讨论并对比了几种化学气相沉积法(CVD)金刚石制备技术的优缺点,详细阐述了基于微波等离子体CVD (MPCVD)法的同质连接技术——一种突破晶体尺寸限制,实现大尺寸单晶金刚石的有效途径。通过该技术实现了英寸级单晶金刚石晶片的制备,并针对横向生长、界面质量及演化、三维结构连接控制等核心科学技术问题进行了分析和讨论,展望了其在尖端应用领域的发展前景。     

硒铟镓银多晶材料的合成研究

根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.     

Abnormal dielectric characteristics of PMN-32%PT single crystal under dc bias

It has been reported that the single crystal of relaxor ferroelectrics (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMN-xPT) with the compositions near the morphotropic phase boundary (MPB, 0.28相似文献   

铜发光中心的分布和位错显微结构的关系

本文作者根据显著观测和发光光谱的测试结果表证实了在ＺｎＳ：Ｃｕ单晶中，蓝色铜发光中心及绿色铜发光中心的分布和位错线区域的横向与纵向的显著与纵向的显著结构有着固定的对应关系。     

GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图,即价带偏移１．５ｅＶ,导带偏移０．３ｅＶ,界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。     

单晶体SOD力学性能的实验及数值模拟

采用纳米压痕硬度计,测量了沸石分子筛方钠石SOD大单晶的力学性能,得到了载荷 位移曲线图和硬度、弹性模量随压痕深度变化的值。并利用ANSYS有限元程序对沸石单晶体SOD的弹性阶段进行了二维数值模拟,考察了摩擦、压头尖端半径对模拟结果的影响,得到了压痕过程中加卸载时的载荷 位移曲线,模拟结果在趋势上与实验结果有较好的吻合,与理论分析的载荷 位移关系基本一致,较好地反应了弹性纳米压痕的实验过程。     

镁碱沸石FER单晶弹塑性双线性本构关系的实验研究与有限元确定

为研究镁碱沸石大单晶FER的力学性能,采用纳米压痕技术,测得随载荷连续变化的位移,得到载荷-位移曲线图。根据W.C.Olive算法,利用接触刚度连续测量(CSM)技术,得到FER沸石分子筛硬度及弹性模量。基于弹塑性双线性本构关系假定,用ANSYS有限元程序模拟纳米压痕试验过程,利用搜索法得到沸石大单晶FER的双线性本构关系。本文还讨论了摩擦、温度及压头尖端曲率半径对纳米压痕计算结果的影响。     

16电子半夹心结构含硫碳硼烷钴配合物CptCoS2C2B10H10的合成以及结构表征

八羰基二钴Co2(CO)8与叔丁基取代的环戊二烯反应，可以得到半夹心结构的羰基钴化合物Cp^tCo(CO)2(2)(Cp^t=η^5-^tBuC5H4)，化合物(2)与元素碘进行反应可以被氧化成相应的钴的碘化产物Cp^tCo(CO)I2(3)，采用碳硼烷含硫锂化合物[(THF)3LiS2C2B10H10Li(THF)]2(1)与18电子半夹心结构羰基钴的碘化物Cp^tCo(CO)I2(3)反应得到16电子半夹心结构化合物Cp^tCoS2C2B10H10(4)，表征了化合物(2)，(3)和(4)，并解析了配合物(4)的X—衍射的单晶结构。