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以Cr层为底层和保护层,采用直流共溅射的方法在Si基片上制备了Cr(80 nm)/SmCo5(300nm)/Cr(8 nm)薄膜,并对样品进行550℃保温30 min的退火,然后分别利用EDX射线能谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜、振动样品磁强计分析研究了退火前后SmCo5薄膜样品的成分、结构、表面形貌、磁学性能及其变化规律.结果表明:在10-4Pa真空环境下,SmCo5薄膜在550℃退火,保温30 min后具有较好的硬磁性能,矫顽力Hc为1 738 Oe. 相似文献
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利用射频共溅射方法制备了一系列Co-Ta-O介质颗粒膜,用X射线能量色散谱和X射线光电子谱分析了薄膜的成分和元素价态,用X射线衍射测量了薄膜的晶体结构,结果表明,Co-Ta-O颗粒膜系是由Co颗粒镶嵌在非晶的氧化钽绝缘介质中而形成,通过改变制备条件,研究了测射电压和C成分对颗粒膜隧道磁电阻效应的影响,发现磁电阻比值先随Co成分的增加而增加,在Co原子个数比为26%时达最大值,后随Co成分的进一步增加而减小;在Co成分一定的情况下,低的溅射电压有利于获得大的隧道磁电阻比值。 相似文献
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镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜.测量显示,随着正向偏压的增加,来自Au/含纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动. 相似文献
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埋入SiO2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光 总被引:3,自引:1,他引:3
1990年英国人Canham报道的多孔硅室温可见光致发光,显示了Si材料在光电子技术方面的潜力,这为全Si光电子电路的实现带来了曙光,使人们受到了极大鼓舞.近几年人们对多孔Si的研究已经非常深入,尽管目前还没有统一的模型能解释全部实验结果,但是可以肯定的是,从扫描隧道电镜观察到多孔Si是具有2~5nm尺寸的纳米微粒,这种低维的纳米微粒是获得可见光发射的主要原因.目前多孔Si多用湿法制备,性能不稳定,电接触方面存在困难,严重限制了它的应用.因此,探索制备有纳米结构的Si及Si基合金以获得强的可见光发射,具有极重要的意义. 相似文献
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温度对非晶SiOx薄膜的光致发光特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用双离子束共溅射法制备的SiOx薄膜为非晶结构,在室温下观察到了可见光致发光(PL)现象,探测到样品有四个PL峰,它们的峰位分别为-320nm,-410nm,-560nm和-630nm,且峰位和峰强随温度(基片温度Ts和退火温度Ta)的变化而发生变化,并对实验结果进行了讨论。 相似文献
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本文采用磁控共溅射法在玻璃衬底上制备了Cr:ZnO薄膜,利用XRD、XPS、PPMS测试手段对制备的样品进行表征,结果表明:Cr以Cr3+离子形式掺入ZnO晶格,没有发现第二相.所有样品均呈现室温铁磁性,且具有磁各向异性,表明铁磁性是其内在固有的. 相似文献
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利用磁控共溅射法制备Al-Pb合金薄膜.运用SEM、EDS、TEM对薄膜成分、结构进行分析,用分子动力学模拟薄膜中Al、Pb原子的聚集状态.结果发现铅含量影响着Al-Pb合金膜的结构,靶材中Pb的原子分数控制在4%范围内时,薄膜中Al和Pb在纳米级范围内可以实现均匀混合,得到均质合金膜.随着Pb含量的增加薄膜中Pb原子... 相似文献
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本文采用磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了Cr掺杂ZnO薄膜,通过改变Cr溅射功率,从而改变Cr的掺杂量.介绍了Zn1-xCrxO薄膜的制备方法,分别用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对不同Cr溅射功率的一系列薄膜的结构,成份、元素含量及价态等性能进行了分析.结果表明,Cr溅射功率为20 W的样品,具有最好的c轴择优取向,Cr以+3价形式掺入薄膜中,Cr3+替代了部分Zn2+. 相似文献