Co—Ta—O颗粒膜的磁电阻效应研究

利用射频共溅射方法制备了一系列Co-Ta-O介质颗粒膜，用X射线能量色散谱和X射线光电子谱分析了薄膜的成分和元素价态，用X射线衍射测量了薄膜的晶体结构，结果表明，Co-Ta-O颗粒膜系是由Co颗粒镶嵌在非晶的氧化钽绝缘介质中而形成，通过改变制备条件，研究了测射电压和C成分对颗粒膜隧道磁电阻效应的影响，发现磁电阻比值先随Co成分的增加而增加，在Co原子个数比为26％时达最大值，后随Co成分的进一步增加而减小；在Co成分一定的情况下，低的溅射电压有利于获得大的隧道磁电阻比值。     

不连续Fe25Ni75/SiO2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应

用射频磁控溅射技术制备了[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N多层膜系列(其中t1和t2分别代表SiO2层和Fe25Ni75层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO2(3.3 nm)/Fe25Ni75(t2)]10系统,当Fe25Ni75层厚度小于2.4 nm时,Fe25Ni75层从连续变为不连续;当Fe25Ni75层不连续时,lnR基本上正比于T-1/2,表明导电机制为热激发的隧穿导电;在t2=2.1 nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64%.对[SiO2(1.8 nm)/Fe25Ni75(1.6 nm)]N系统,发现磁电阻先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和.     

非晶合金短程序研究与回火条件的选取

用核磁共振和穆斯堡尔效应配合研究了Ｆｅ８４Ｂ１０Ｃ６非晶合金的短程序。探讨了用回火非晶合金来研究短程序时的最佳热处理条件。结果表明，在淬态非晶合金中存在体心四方的Ｆｅ３Ｂ和正交型的Ｆｅ３Ｂ两种短程序。当用晶化方法来研究非晶合金的短程序时，推荐采用较低的回火温度（略高於非晶合金的晶化开始温度）和短的回火时间。     

(La0.7Sr0.3MnO3)(1-x)(CoFe2O4)x复合体中增强的室温磁电阻效应

利用溶胶-凝胶法制备了(La0.7Sr0.3Mn0.3)(1-x)(CoFe2O4)x复合体材料,并利用X射线衍射和57Fe的穆斯堡尔谱详细研究了其结构和微结构.利用超导量子磁强计测量了样品的磁性.结构和磁性的测量表明(La0.7Sr0.3MnO3)(1-x)(CoFe2O4)x复合体由La0.7Sr0.3MnO3和CoFe2O4组成,两相之间没有反应.复合体的电阻率随着CoFe2O4的加入而逐渐升高.在室温条件下5 kOe的磁场下得到了-5%的磁电阻效应,该值比同样品粒大小的纯La0.7Sr0.3MnO3样品的磁电阻效应大一倍.同时也比将非磁性的绝缘势垒如玻璃、CeO2等引入La0.7Sr0.3MnO3的室温磁电阻值大.表明一定量的铁磁性绝缘势垒的引入可以增强类钙钛矿锰氧化物的室温磁电阻效应.     

磁学研究的三个热点领域

2005年国际磁学会议（Intermag2005）于2005年4月4～8日在日本名古屋市国际会议中心举行。会议由日本磁学学会和IEEE磁学分会举办，名古屋大学承办。参加会议的有来自世界各地的学者1000多人，其中中国学者10多人。会议上交流的论文1041篇，其中部分论文经过审稿通过后将在IEEE Transactions on Magnetics上发表。     

FeCo-SiO2颗粒膜的磁性和隧道磁电阻效应

利用射频共溅射的方法制备了不同金属含量ｆｖ的Ｆｅ－ＳｉＯ２金属－绝缘体颗粒膜,系统研究了薄膜的微结构、磁性以及隧道磁电阻（ＴＭＲ）效应,在ｆｖ＝０．３３处得到最大磁电阻值为－３．３％,在同样的制备条件下保持ｆｖ＝０．３３,用Ｃｏ取代Ｆｅ得到一系列的（Ｆｅ１００－ｘＣｏｘ）０．３３（ＳｉＯ２）０．６７的颗粒膜,对其ＴＭＲ的研究发现在ｘ＝５３时得到最大磁电阻值－４．５％,且Ｃｏ对Ｆe的替代基本没有影响     

FeCo-SiO_2颗粒膜的磁性和隧道磁电阻效应研究

用射频共溅射的方法制备了不同金属含量φ的 Fe- Si O2 金属 -绝缘体颗粒膜 ,系统研究了薄膜的微结构、磁性以及隧道磁电阻 ( TMR)效应 .在φ=0 .33处得到最大磁电阻比 RTMR为- 3. 3% .在同样的制备条件下保持φ =0 . 33,用 Co 取代 Fe 得到一系列的( Fe10 0 -x Cox) 0 .33( Si O2 ) 0 .67的颗粒膜 .对其 TMR的研究发现在 x =53时得到最大的磁电阻比为 -4 .3% ,且 Co对 Fe的替代基本没有影响薄膜的微结构 .由 Inoue关于隧道磁电阻效应的理论得到的自旋极化率 P和 Co的原子百分数 x的关系曲线和实验测得的 RTMR ～ x曲线具有相似的变化趋势 .表明在 Fe Co- Si O2 膜中由于磁性颗粒自旋极化率 P的提高而使 RTMR 变大 .这也和基于第一原理的线性缀加平面波方法得到的理论计算结果一致 .     

Fe层厚度对Fe／Mo多层膜巨磁电阻的影响

详细研究了用溅射法制备的Ｆｅ／Ｍｏ多层膜系统的结构，磁性及磁电阻效应。发现当保护Ｍｏ层厚度为０．８ｎｍ、Ｆｅ层厚度ｄＦｅ由２．２ｎ，减到０．４ｎｍ时，ＧＭＲ在ｄＦｅ〈１．４ｎｍ有一迅速增加，并在ｄＦｅ＝０．９ｎｍ时达极大值，然后下降，矫顽力显示出类似的行为。     

纳米多晶La0．7Sr0．3MnO3-δ的输运性质

利用溶胶-凝胶法制备了纳米多晶La0.7Sr0.3MnO3-δ(简称LSM)块体样品.详细研究了在不同烧结温度下的LSM样品电阻率随测量温度的变化关系.随着温度从室温降低,电阻率(ρ)在250 K附近存在最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50 K左右存在一极小值.通过对输运性质的研究表明在低温下(<50 K),ρ随温度降低而升高的现象与隧穿效应的理论模型(ln ρ∝T-1/2)符合得很好,表明这种现象是由于传导电子在通过邻近LSM晶粒间表面/界面层时的隧道效应所导致的.利用自旋回波法测量了样品中55Mn的核磁共振谱图,结果表明样品中存在这种绝缘性的势垒.