在Co2+注入修饰电极上米托蒽醌的电化学行为及其应用

米托蒽醌(MX)在0.005mol*L-1 Tris-0.05mol*L-1 NaCl (pH7.1)缓冲溶液中, 在Co离子注入玻碳修饰电极(Co/GCE)上,有一灵敏的伏安还原峰,峰电位为-0.68V,峰电流与MX的浓度在1.8×10-7～9.0×10-6 mol*L-1 间呈线性关系,检出限为9.0×10-8 mol*L-1.将该法用于病人尿样的测定,回收率为94.6%～105.7%. 用线性扫描和循环伏安法研究该体系的电化学行为和电催化.实验表明,体系为不可逆过程.Co/GCE上的电流比GC电极的大,扫速对催化效率的影响实验证明,存在着催化作用.X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)实验表明,Co确实被注入在GC表面,注入的Co催化了MX的还原.     

西咪替丁的伏安吸附行为及其测定研究

在０．１２ｍｏｌ．Ｌ＾－１ＫＣｌ溶液中,西咪替丁在单扫示波极上有一灵数极谱波,峰电位ＥＰ＝－１．０９ｖ（ＶＳ．ｓｃｅ）。峰电流ｉｐ与西咪替丁浓度在１．０＊１０＾－６１．５＊１０＾－５ｍｏｌ．Ｌ＾－１范围内成线性关系。     

甲氨蝶呤的电化学行为及应用的研究

在 0 .1mol·L- 1NH3 NH4 Cl (pH 9.8)缓冲溶液中 ,甲氨蝶呤在单扫示波极谱上有一灵敏的导数极谱峰 ,峰电位Ep=- 0 .83V(vs .SCE) .峰电流ip 与甲氨蝶呤的浓度在 5 .4× 10 - 8～ 6.5× 10 - 6 mol·L- 1范围内成线性关系 ,检出限为 4 .33× 10 - 8mol·L- 1.基于此建立了单扫示波极谱测定甲氨蝶呤的新方法 ,用于市售药片的测定 ,回收率在 92 .9%～ 10 6.8%之间 ,结果令人满意 .用线性扫描和循环伏安法研究了体系的电化学行为及电极反应机理 ,实验表明 ,甲氨蝶呤的还原属于具有吸附性的准可逆过程 ,并伴随 2个电子、2个氢离子参与电极反应 .     

钙-茜素S络合物体系在汞膜电极上的电化学行为及其应用

在0.1 mol KOH介质中,用微分脉冲伏安法在汞膜玻碳电极上得到钙-茜素S络合吸附波,峰电位为-1.17V(vs.Ag-AgCl),峰电流与钙的浓度在5×10-8～4.2×10-5mol·L-1范围内呈良好的线性关系,检测限为2×10-8 mol·L-1.此络合波应用于血清中微量钙的测定,得到满意的结果.实验表明,该波为1:2的钙-茜素S的络合吸附波,还原过程为伴随两电子参与的不可逆电极反应.     

丹皮酚的伏安行为及其应用

在 pH =7.8的NaOH KH2 PO4 底液中 ,用单扫示波极谱法可以得到一灵敏的丹皮酚导数还原峰 ,其峰电位Ep=- 1.6 5V(vs .SCE) .峰电流与丹皮酚的浓度在 4 .0× 10 - 7～ 1.0× 10 - 5mol·L- 1范围内呈线性关系 (r =0 .9998) ,检出限为 2 .0× 10 - 7mol·L- 1.该法用于牡丹皮中丹皮酚质量分数的测定 ,结果令人满意 .用线性扫描和循环伏安法研究体系的行为 ,结果表明 ,其电极过程为具有吸附性的不可逆过程     

甲氨蝶呤在Co/GC离子注入修饰超微电极上的电化学行为

甲氨蝶呤 (MTX)在 0 0 0 5mol·L-1 Tris 0 0 5mol·L-1 NaCl(pH7 12 )缓冲溶液中 ,用Co/GC离子注入修饰超微电极进行伏安测定 ,得到一良好的还原峰 ,峰电位Ep=- 0 978V(vs.SCE) .峰电流ip 与MTX的浓度在 8 0× 10 -8～ 9 6× 10 -6mol·L-1 范围内成线性关系 ,检出限为1 0× 10 -8mol·L-1 .基于此建立了测定MTX的新方法 .用于市售药片测定 ,回收率在 98 9%～10 6 2 %之间 .用线性扫描和循环伏安法研究了体系的电化学行为及电极反应机理 .实验表明 ,MTX的还原为不可逆吸附过程 ,并伴随 2个电子参与电极反应 .经扫速对催化效率的影响实验证明体系存在催化作用     

1，10－菲罗啉－5，6－二醌伏安行为研究

在０．５０ｍｏｌ·Ｌ~（－１）ＮＨ_３－ＮＨ_４Ｃｌ缓冲溶液中，１，１０－菲罗啉－５，６－二醌有一还原伏安峰。当静止富集２ｍｉｎ，ｖ＝１００ｍＶ·ｓ~（－１）时，其峰电位Ｅ_ｐ＝－１．３１Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ）。用线性扫描和循环伏安法等手段研究体系的伏安行为，特别是吸附性。实验表明，该体系属具有吸附性的不可逆过程。用于单扫示波极谱法测定，线性范围为５．０×１０~（－８）～５．０×１０~（－６）ｍｏｌ·Ｌ~（－１），其相关系数为０．９９９５。     

和厚朴酚的吸附伏安法研究

和厚朴酚在０．１ｍｏｌ·Ｌ＾－ＮＨ３－ＮＨ４Ｃｌ底液中,出现一灵敏吸附伏安还原峰,Ｅｐ＝－０．２３Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ）。当富集时间为３ｍｉｎ时,峰电流与和厚朴酚浓度在１．０×１０＾－８￣１．０×１０＾－７ｍｏｌ·Ｌ＾－１范围内呈线性关系,检测限为３．０×１０＾－９ｍｏｌ·Ｌ＾－１,可用于中药厚朴的测定。     

阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为

阿霉素（ADM）在0．005mol.L^-1Tris/0.05mol.L^-1NaCl溶液中,在Co/GCE上有一灵敏的还原峰,。峰电位为－0．62V（对SCE）,峰电流与ADM的浓度有关,用线性扫描和循环伏安等手段研究体系的电化学行为,实验表明,电极过程是受吸附控制的准可逆过程,注入的钴催化了ADM的还原,根据Laviron 吸附理论,求得电极反应速率常数k0=2.15s^-1,电荷转移系数α＝0．62,用X射线光电子能谱（XPS）和俄歇电子能谱（AES）等表面分析手段,对离子注入修饰电极表面的元素组成,价态和深度分 布进行测定,钴离子确实对注入在GCE表面,并初步认为,被注入的Co形成的Co-C催化ADM在电极上的还原。     

灰黄霉素在Co离子注入修饰电极上的电化学行为的研究

灰黄霉素在0.1 mol*L-1 HAc-NaAc缓冲溶液(pH=5.86)中,于Co-GC离子注入修饰电极上,形成一良好的线性扫描伏安还原峰,峰电位Ep=-0.63 V(vs.SCE).峰电流ip与灰黄霉素浓度在5.0×10-9～1.1×10-6 mol*L-1范围内成线性关系,相关系数为0.999 8,检测限可达2.0×10-9 mol*L-1,可用于痕量物质的测定.用线性扫描与循环伏安法等手段研究了体系的性质,实验表明电极反应为不可逆吸附过程.用AES和XPS对电极表面进行了表征.