阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为 |
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引用本文: | 胡劲波,黄清泉,李启隆.阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为[J].科学通报,2001,46(8):659-661. |
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作者姓名: | 胡劲波 黄清泉 李启隆 |
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作者单位: | 1. 北京师范大学化学系, 2. 中国药品生物制品检定所, |
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摘 要: | 阿霉素(ADM)在0.005mol.L^-1Tris/0.05mol.L^-1NaCl溶液中,在Co/GCE上有一灵敏的还原峰,。峰电位为-0.62V(对SCE),峰电流与ADM的浓度有关,用线性扫描和循环伏安等手段研究体系的电化学行为,实验表明,电极过程是受吸附控制的准可逆过程,注入的钴催化了ADM的还原,根据Laviron 吸附理论,求得电极反应速率常数k0=2.15s^-1,电荷转移系数α=0.62,用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段,对离子注入修饰电极表面的元素组成,价态和深度分 布进行测定,钴离子确实对注入在GCE表面,并初步认为,被注入的Co形成的Co-C催化ADM在电极上的还原。
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关 键 词: | 阿霉素 离子注入 修饰电极 电化学行为 表面分析 抗肿瘤药物 |
收稿时间: | 2000-10-27 |
修稿时间: | 2000年10月27 |
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