电子束蒸发制备纳米ZnO薄膜及其特性研究

用电子束蒸发制备一系列纳米ZnO薄膜,用XRD和AFM研究其结构和形貌,重点研究其拉曼谱.ZnO靶的拉曼谱出现了4个明显的峰,与文献报道基本一致.室温下沉积的ZnO薄膜中存在大量缺陷和氧空位,其拉曼频移只有LO模和低频E2模,且其LO模有相对频移,峰展宽,强度加强.ZnO膜的高频拉曼谱对其结构不敏感,各种制备条件下的ZnO膜其高频拉曼谱基本一致.对拉曼谱,结合XRD和AFM分析给出了初步的解释.     

一种多波长光控相控阵天线系统

研究了一种新型的多波长光纤控制相控阵天线系统,此系统采用一个多波长激光光源和可编程色散矩阵(PDM)技术组成一个波束形成网格,每一波长对应一个天线单元,实现波束的全方位扫描;系统有很大的硬件压缩能力,减少了波束形成网格的复杂性和成本;同时对系统的插入损耗和噪声性能给出了估算的结果,采用掺铒光纤放大器进行分布补偿的方法,使系统的实用性增加.     

FeXCu1-X颗粒膜反常输运性质

介绍ＦｅＸＣｕ１－Ｘ纳米颗粒膜的输运研究工作。用磁控溅射的方法制备了系列组分的ＦｅＸＣｕ１－Ｘ颗粒膜,发现在很宽的温度范围内（１２￣２９０Ｋ）有显著的负阻温特性,而且随着溅射时间、铁铜原子比、退火条件的改变分别有着负阻温特性向正阻温特性的转变过程;当Ｘ＝０．６４溅射时间为１ｍｉｎ时,出现了比一般非晶合金大一个数量级的负阻温变化;结合非晶态理论对实验现象给出了定性解释。     

阴极电沉积法制备ZnO及其特性研究

用ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,采用阴极电沉积法在导电玻璃上制备出了一系列的ZnO薄膜。实验发现ZnCl2的浓度对ZnO薄膜的光学性质有重要影响,ZnCl2浓度依次为0.01mol/L、0.03mol/L和0.05mol/L。当ZnCl2的浓度为0.01mol/L时薄膜的光学性能最好,此时发射谱出现紫峰和绿峰。XRD分析表明,薄膜是ZnO的多晶结构。     

Si衬底电沉积制备ZnO及其特性研究

采用不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,用阴极电沉积法在Si衬底上制备出了一系列的ZnO薄膜。实验发现ZnCl2的浓度对ZnO薄膜的结构和光学性质有着重要的影响。薄膜的X射线衍射(XRD)表明ZnCl2浓度较低时,ZnO的特征峰被衬底Si的衍射峰掩盖而较弱,当ZnCl2浓度为0.05mol/L时ZnO的特征峰非常明显。随着ZnCl2浓度的减小,薄膜的光致发光的发射谱变好,当ZnCl2溶液浓度为0.01mol/L时光学性能最好,此时出现两个峰,分别对应紫峰和绿峰。同时研究了沉积时间和退火对薄膜的光学性能的影响。     

高速FIR滤波器设计与FPGA实现

文章主要研究了基于传统的乘累加(MAC)结构的FIR滤波器设计的2种方法,在此基础上研究了一种新的基于分布式算法(DA)的FIR滤波器设计的硬件结构,分析了DA算法结构较MAC结构的优点。最后设计了一个8阶8 bits的基于DA结构的FIR低通滤波器,并在Altera FPGA上进行硬件实现。     

一种简便方法制备ZnO薄膜及其特性研究

该文介绍了一种制备ZnO薄膜的简便方法:先在真空中蒸发沉淀Zn薄膜,再在空气中进行加热退火处理,使薄膜结晶变成ZnO薄膜。薄膜的X射线衍射谱(XRD)表明使用上述方法得到的是结晶良好的ZnO薄膜,对薄膜的发光特性研究表明,薄膜的光致发光谱(PL)与薄膜的制备条件密切相关。同时还系统研究了薄膜的PL谱与退火温度、退火时间和通气与否的关系,对实验结果给出了初步的解释。     

微电子工艺实验教学模式探索

采用微电子工艺实验教学模式，即工艺实验教学由实际操作的工艺实验、工艺录像学习、器件与工艺仿真实验和多媒体辅助实验教学组成，阐述了具体内容。这种微电子工艺实验教学模式的建立，可满足本专业对微电子工艺实验的教学要求，有助于提高专业教学质量、提高学生的实际工作能力和专业素质、培养有竞争力的高质量的微电子人才。     

抛物线型量子线中束缚极化子基态能变分计算

费曼路径积分的变分方法是计算束缚极化子基态能的最有效方法。文章给出了抛物线型量子线中束缚极化子的哈密顿量 ,运用费曼路径积分的变分方法统一推导出抛物线型量子线约束势中杂质库仑束缚势下极化子的基态能 ,讨论了量子阱的一些特殊情况 :有、无杂质库仑束缚势的量子点和有、无杂质库仑束缚势的量子阱束缚势的量子阱 ,以及自由极化子