改变Cr、Ni配比电弧炉冶炼超低碳不锈钢HoCr19Ni12Mo2

冶炼超低碳不锈钢因含碳极低（Ｃ≤０．０３０％）而使冶炼难度相当大，本文以ＨｏｏＣｒ１９Ｎｉ１２Ｍｏ２为例论述了通过调氧化前Ｃｒ、Ｎｉ的配比来降低氧化终点温度，从而降低冶炼难度     

改变Cr,Ni配比电弧炉冶炼超低碳不锈钢HooCr19Ni12Mo2

冶炼超低碳不锈钢因含碳极低而使冶炼难度相当大，本文以ＨｏｏＣｒ１９Ｎｉ１２Ｍｏ２为例论述了通过调氧化前Ｃｒ、Ｎｉ的配比来降低氧化终眯温度，从而降低冶炼难度。     

新型负膨胀系数材料ZrW2O8的合成与特性

ZrW2 O8 是新发现的由 0 3K至分解温度 1 0 5 0K都具有各向同性的负热膨胀化合物 ,但由于其分解温度和窄的热稳定范围反应合成相当困难 .本文综述了氧化物直接合成、微波合成和溶胶 -凝胶法制备ZrW2 O8以及单晶ZrW2 O8的生长方法 ,讨论了ZrW2 O8的特性 ,介绍了其负膨胀机理和潜在的应用     

陶瓷矿物改性MoSi2发热元件的组织结构和性能

以自蔓延高温合成的MoSi2和陶瓷矿物为原料,通过粉末冶金工艺制备了MoSi2发热元件,采用XRD,SEM和EDS等技术分析了MoSi2发热元件的微观组织结构和性能.结果表明:MoSi2发热元件的主要成分为MoSi2,Mo5Si3和陶瓷矿物.加入陶瓷矿物明显活化了MoSi2的烧结,降低了MoSi2的烧结温度,阻止了MoSi2晶粒的过度长大,使得发热元件具有比较均匀的组织结构以及较高硬度和断裂韧性.通电氧化可以使MoSi2发热元件表面生成一层以SiO2为主的含有少量MgO,CaO,Na2O,Al2O3等物质的玻璃相,提高了元件表面保护膜的稳定性.     

烧结气氛对氮化铝陶瓷结构与性能的影响

以高温自蔓延法合成的氮化铝(AlN)粉末为原料,加入5%Y2O3作为烧结助剂,注射成形后分别在氮气和还原性氮气氛中1850℃常压烧结成AlN陶瓷,研究烧结气氛对AlN陶瓷结构与性能的影响.研究表明,不同气氛中烧结的AlN陶瓷的密度、第二相和热扩散系数有所不同,氮气中烧结的AlN陶瓷的密度、第二相和热扩散系数分别为3.20g·cm-3、钇铝酸盐(Y3Al5O12和Y4Al2O9)和0.559cm2·s-1;还原性氮气氛中烧结的AlN陶瓷的密度、第二相和热扩散系数为3.00g·cm-3、氮化钇(YN)和0.581cm2·s-1.扫描电镜(SEM)分析显示氮气氛中烧结的AlN陶瓷结构均一,而还原性氮气氛中烧结的AlN陶瓷内外结构不一致,容易产生变形.     

不同基质结构对长余辉发光材料发光光谱的影响

在研究不同配比的发光粉基质材料铝酸锶的基础上，对Sr0.95Eu0.025Dy0.025O.Al2O3和4（Sr0.95Eu0.025Dy0.025O).7Al2O3进行发射光谱的测度和SEM分析，得出Eu^2 处在不同晶格结合中发射光谱不同的结论。     

新型负膨胀系数材料ZrW2O8的合成与特性

ZrW2O8是新发现的由0.3K至分解温度1050K都具有各向同性的负热膨胀化合物，但由于其分解温度和窄的热稳定范围反应合成相当困难。本文综述了氧化物直接合成、微波合成和溶胶－凝胶法制备ZrW2O8以及单晶ZrW2O8的生长方法，讨论了ZrW2O8的特性，介绍了其负膨胀机理和潜在的应用。     

共沉淀法制备负膨胀系数材料ZrW2O8

以H2WO4和ZrOCl2·8H2O为原料,先采用共沉淀法制备出前驱物,再加热合成出了ZrW2O8粉末. 用X射线衍射(XRD)对合成粉末进行物相分析,用扫描电子显微镜(SEM)分析粉末形貌,用差热-热重分析确定合成温度. 结果表明:溶液pH值控制在2～3范围内,溶液中Zr4 和WO2-4能同时发生沉淀;所得前驱物在1 200 ℃反应1 h,所得产物相主要为ZrW2O8,其粒度在100 nm左右,且分布均匀.     

不同基质结构对长余辉发光材料发光光谱的影响

在研究不同配比的发光粉基质材料铝酸锶的基础上 ,对Sr0 .95Eu0 .0 2 5Dy0 .0 2 5O·Al2 0 3 和 4(Sr0 .95Eu0 .0 2 5Dy0 .0 2 5O)·7Al2 O3 进行发射光谱的测试和SEM分析 ,得出Eu2 + 处在不同晶格结构中发射光谱不同的结论 .