数控多功能工具机及其控制仪表的造型设计

文章论述了如何利用现代工业设计理论和方法，对数控多功能工具机进行造型设计．文中采用了美国创造学家奥斯本（Ｏｓｂｏｒｎ）创立的检核表法，对产品的结构、功能、材料、人－机－环境、色彩、比例尺度、线型、时代性及民族喜好等方面进行逐一检核，构思出功能先进、使用方便、式作新颖的工具机造型设计．     

影响蓝色场致发光的几个因素

在分层优化方案的框架和以前分析的基础上 ,研究了影响蓝光产生和亮度的因素 ,比如 :谷间散射 ,激发中心的离化 ,分层优化的级联 ,以CdS做初电子源及硫空位的影响等 .     

软X射线光学多层膜

评述了软Ｘ射线光学多层膜的结构设计,结构评价以及结构稳定性的研究现状,并讨论了目前存在的问题以及可能的解决办法。     

TFEL发光层体内的点缺陷及其作用

通过对薄膜的光致发光谱的测量 ,研究了分层优化的ZnS∶Er3 薄膜电致发光器件的发光层体内点缺陷的种类及其在禁带中的能级位置 .结果表明 :ZnS∶Er3 体内除了作为发光中心的替位铒离子ErZn外 ,主要的点缺陷是S空位VS、Zn空位VZn、浅施主ClS 和FS、深受主Cu 等 .S空位是双施主能级 ,V1 S 和V2 S 分别位于导带底 1 36和 2 36eV处 ;Zn空位是双受主能级 ,V1-Zn 和V2 -Zn 距价带顶分别约为 1 0 0和 1 5 0eV ;Cu 能级位于价带顶 1 2 6eV处 .另外 ,还讨论了上述点缺陷对薄膜电致发光的影响 .通过S空位的俄歇型无辐射能量转移 ,降低了稀土掺杂的ZnS薄膜电致发光器件的短波发射强度 ;ClS 和FS 的场发射及Zn空位的碰撞离化是发光层内产生空间电荷的两个可能的因素 .     

干式光伏潜水泵的密封设计分析

文章阐述了干式光伏潜水泵的密封设计：着重对使动密封转换为静密封的磁力偶合器作了分析；以及电缆引出线的密封处理作了介绍。     

TFEL妆光层体内的点缺陷及其作用

通过对薄膜的光致发光谱的测量,研究了分层优化的ＺｎＳ：Ｅｒ＾３＋薄膜电致发光器件的发光层体内点缺陷和种类及其在禁带中的能级位置。结果表明：ＺｎＳ：Ｅｒ＾３＋体内除了作为发光中心的替位铒离子Ｅｒ＾２＋外,主要的点缺陷是Ｓ空位Ｖｓ、Ｚｎ空平Ｖｚｎ、浅施主Ｃｌｓ和Ｆｓ、深受主Ｃｕ＾＋等。Ｓ空位是双施主能级,Ｖｓ＾１＋和Ｖｓ＾２＋分别位于导带底１．３６和２．３６ｅＶ处;Ｚｎ空位是双受主能级,ＶＺｎ＾１－和     

Ce3+在硫氧化物中的TFEL

采用基质混合的方法制备了新的ＴＦＥＬ材料ＺｎＳｘＯ１－ｘ：ＣＥ＾３＋。在的Ｃｅ＾３＋掺杂浓度下ＺｎＳｘＯ１－ｘ：Ｃｅ＾３＋ＥＬ亮度高于ＺｎＳ：Ｃｅ＾３＋一个量级以上,其发光波长范围为４００￣６００ｎｍ。ＺｎＳｘＯ１－ｘ：Ｃｅ＾３＋可望用于白色ＴＦＥＬ的蓝光部分。     

新结构SrGa2S4:Ce蓝色TFEL研究

用电子束蒸发制备了新型的SrGa2 S4 ∶Ce薄膜电致发光器件 ,获得了稳定的、色纯度较好的蓝色发光 .在这种结构中 ,介质层的介电常数比传统结构的器件低得多 ,且低于发光层的介电常数 ,这有利于电子在SiO和SiO2 层中的预热和加速     

TFEL发光层体内的点缺陷及其作用

通过对薄膜的光致发光谱的测量 ,研究了分层优化的ZnS∶Er³⁺ 薄膜电致发光器件的发光层体内点缺陷的种类及其在禁带中的能级位置 .结果表明 :ZnS∶Er³⁺ 体内除了作为发光中心的替位铒离子ErZn外 ,主要的点缺陷是S空位V_S、Zn空位V_Zn、浅施主Cl_S 和F_S、深受主Cu⁺ 等 .S空位是双施主能级 ,V¹⁺_S 和V²⁺_S 分别位于导带底1.36和2.36eV处 ;Zn空位是双受主能级 ,V^1-_Zn 和V^2-_Zn 距价带顶分别约为1.00和1.50eV ;Cu+能级位于价带顶12 6eV处.另外 ,还讨论了上述点缺陷对薄膜电致发光的影响 .通过S空位的俄歇型无辐射能量转移 ,降低了稀土掺杂的ZnS薄膜电致发光器件的短波发射强度 ;Cl_S 和F_S 的场发射及Zn空位的碰撞离化是发光层内产生空间电荷的两个可能的因素.