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a-Si∶H 薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜 总被引:9,自引:0,他引:9
利用固相晶化法获得多晶硅薄膜(退火温度700~800℃),采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析。研究结果表明:晶粒平均尺寸随着退火温度的降低、掺杂浓度的减少、薄膜厚度的增加而增加;并且退火后薄膜暗电导率提高了2~4个数量级。 相似文献
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