| 退火条件对多晶硅薄膜光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 陈城钊,邱胜桦,陈洪财,林璇英.退火条件对多晶硅薄膜光电性能的影响[J].佳木斯大学学报,2007,25(2):192-195. |
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| 作者姓名： | 陈城钊 邱胜桦 陈洪财 林璇英 |
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| 作者单位： | 韩山师范学院物理与电子工程系 广东潮州521041(陈城钊，邱胜桦，陈洪财)，汕头大学物理系 广东汕头515063(林璇英) |
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| 基金项目： | 韩山师范学院校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜,用Raman散射谱和傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)等方法进行表征和分析.研究了退火的射频功率、衬底温度和退火时间对薄膜微结构和光电性能的影响.结果表明,薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素,而薄膜的结晶度是影响薄膜暗电导率的主要因素.
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| 关 键 词： | 多晶硅薄膜 氢等离子体加热 Raman谱 FT-IR谱 暗电导率 光学带隙 退火条件 多晶硅薄膜 光电性能 影响 Thin Films Polysilicon Electric Properties Optical Conditions Annealing 暗电导率 结晶度 因素 光学带隙 氢含量 结果 薄膜微结构 退火时间 衬底温度 射频功率 |
| 文章编号： | 1008-1402（2007）02-0192-04 |
| 收稿时间： | 2007-01-11 |
| 修稿时间： | 2007年1月11日 |
Influence of Annealing Conditions on Optical and Electric Properties of Polysilicon Thin Films |
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| CHEN Cheng-zhao,QIU Sheng-hua,CHEN Hong-cai,LIN Xuan-ying.Influence of Annealing Conditions on Optical and Electric Properties of Polysilicon Thin Films[J].Journal of Jiamusi University(Natural Science Edition),2007,25(2):192-195. |
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| Authors: | CHEN Cheng-zhao QIU Sheng-hua CHEN Hong-cai LIN Xuan-ying |
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| Abstract: | Polysilicon thin films have been obtained by hydrogen plasma heating of a-Si:H films deposited by PCVD.The films were characterized and analyzed by Raman and FT-IR spectra.The effects of different annealing conditions,such as RF power,substrate temperature and annealing time on the micro-construction and optical and electric properties were investigated.The results indicate that the content of hydrogen is the main factor that affects the optical gap while the crystalline volume fraction is crucial to the dark conductivity. |
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| Keywords: | polysilicon thin film hydrogen plasma heating Raman spectra FT-IR spectra dark conductivity optical band gap |
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