金属反射层制备工艺对倒装LED芯片光电性能的影响

为了解决倒装GaN基LED芯片中金属反射层的Ag原子迁移问题,提高反射层的反射率和稳定性,采用Ag作为GaN基倒装LED芯片反射层薄膜材料;在Ag层上蒸镀TiW保护层,改变Ag反射镜制备过程中Ag/TiW溅射功率、Ar气体流量等工艺参数,研究其对LED芯片光电性能的影响。实验结果表明,当Ag溅射功率为200 W、TiW溅射功率为3 000 W、环境Ar气流量为150 mL/min时,LED芯片的工作电压和出光功率分别为2.91 V、1 247.03 mW,在400～800 nm波段,金属反射层的反射率平均提高了约0.31%,460 nm处的反射率高达96.70%,且产品的综合良率提升了约1.17%。