金属反射层制备工艺对倒装LED芯片光电性能的影响 |
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引用本文: | 刘智超,林海峰,郭贵田.金属反射层制备工艺对倒装LED芯片光电性能的影响[J].厦门理工学院学报,2024(1):23-28. |
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作者姓名: | 刘智超 林海峰 郭贵田 |
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作者单位: | 1. 福建省光电技术与器件重点实验室;2. 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
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基金项目: | 福建省自然科学基金项目(2022J011274); |
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摘 要: | 为了解决倒装GaN基LED芯片中金属反射层的Ag原子迁移问题,提高反射层的反射率和稳定性,采用Ag作为GaN基倒装LED芯片反射层薄膜材料;在Ag层上蒸镀TiW保护层,改变Ag反射镜制备过程中Ag/TiW溅射功率、Ar气体流量等工艺参数,研究其对LED芯片光电性能的影响。实验结果表明,当Ag溅射功率为200 W、TiW溅射功率为3 000 W、环境Ar气流量为150 mL/min时,LED芯片的工作电压和出光功率分别为2.91 V、1 247.03 mW,在400~800 nm波段,金属反射层的反射率平均提高了约0.31%,460 nm处的反射率高达96.70%,且产品的综合良率提升了约1.17%。
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关 键 词: | 倒装LED芯片 光电性能 金属反射层 Ag/TiW溅射功率 Ar气体流量 |
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