试论组织变革的关键因素

在组织变革中必须系统地深入地研究组织变革的规律性，根据未来发展可能出现的趋势，在科学预测的基础上有计划、有步骤地稳健进行，从而通过变革使企业获得更好、更快的发展。基于此目的，作者试从某企业在上世纪90年代中期组织变革失败的教训中找出关键因素，期望达到“抛砖引玉”的借鉴效果。     

脂肪酶催化缩聚合成脂肪族聚酯的研究进展

近年来，酶催化合成聚酯由于具有反应条件温和、选择性高、无需保护-脱保护、环境友好、产物易降解等优点而越来越受到人们的关注。本文综述了脂肪酶催化缩聚合成脂肪族聚酯的研究进展，介绍了脂肪酶以及饱和脂肪族聚酯、不饱和脂肪族聚酯的酶催化合成，总结了酶催化聚合存在的问题并提出了相应的改进策略，可以为相关研究提供参考。     

Studies of reactivity ratios of copolymerization of acrylic acid with potassium acrylate

合成了丙烯酸和丙烯酸钾均聚物及其共聚物。用FTIR谱仪测定了不同比例的聚丙烯酸和聚丙烯酸钾共混物中两种单体含量比,建立了标准工作曲线,得到了在低转化率下不同初始单体组成的共聚物中两种单体的含量。用FR和KT两种作图法及YBR计算法对单体的竞聚率进行计算和比较。结果表明,丙烯酸的竞聚率(r1)和丙烯酸钾的竞聚率(r2)分别为r1=0798,r2=0544。     

直线滚动导轨额定动载荷的计算

关于直线滚动导轨额定动载荷的计算,目前在国际ISO标准中尚无计算公式及有关标准.本文以滚动轴承 ISO281-1977国际标准为基准,运用 dundbergG和Palmgren A提出的最大动态切应力理论,结合直线滚动导轨的特点,推导了其额定动载荷的计算公式,并进行了数值计算.与国外的产品样本设定值进行的分析比较表明了本文理论计算的可靠性.     

泌阳断陷下第三系陆相层序中油气生储盖及其组合特征——以双河—赵凹地区下第三系核三上段为例

运用层序地层学理论和分析方法，分析了泌阳断陷下第三系陆相层序中油气生、储、盖以及盐组合特征，分析结果表明：第三系陆相层序中极为有利的烃源岩为发育于高水位体系域的半深湖－深湖泥岩（属区域性生油层），其次是水进体系域及水退体系域的湖相泥岩（属局部性生油层）；有利的储集体分布于水进体系域和水退体系域的冲积扇－－扇三角洲砂体及前扇三角洲斜坡带的滑塌性重力流扇体中，尤其是扇三角洲的（水下）分流河道、河口砂坝（远砂坝）及前缘席状砂体，区域性盖层为高水位体系域的深水湖相泥岩，而水进和水退系域的湖相泥岩亦可构成局部性盖层。     

棉花转化酶基因保守片段的克隆及其序列分析

通过CODEHOP designer对已登陆GENEBANK的植物酸性转化酶基因序列的同源性分析,根据植物酸性转化酶基因保守区序列设计简并引物,以棉花总RNA为模板,通过RT-PCR方法得到cDNA,以此为模板通过PCR扩增得到片段长为1155bp的片段,将其克隆到加T载体上,经PCR和酶切鉴定筛选得到阳性克隆,并将阳性克隆进行测序,然后在GENBANK中进行blast检索。结果表明本研究克隆的棉花酸性转化酶基因片段编码的氨基酸与甜橙(BAF34362)、温州蜜桔(BAB82419)和梨(BAF35859)的液泡酸性转化酶基因编码的氨基酸的同源性分别为75%、75%和73%。因此,推测获得的基因片段定位于液泡。     

应用于泛在计算的认证电路

分别采用高级加密标准(AES)、无线局域网认证和保密基础密码算法(SMS4)以及散列函数(SHA-1)实现了用于泛在计算的认证电路.在考虑吞吐率条件下,定义能耗变量来衡量不同的电路实现对功耗的优化效果,在此基础上分析了AES中不同结构S盒的影响以及SHA中改进迭代的方法.上述电路采用0.25 μm 1.8V CMOS工艺实现,比较了不同认证电路的面积、吞吐率和能耗特性,结果表明:对AES电路进行简单的优化即可使其具有低能耗、高吞吐率的特性,因此更合适作为泛在计算中的认证电路.     

断陷湖盆陆相层序中高频层序的米氏旋回成因探讨

以泌阳断陷湖盆下第三系核三上段为例 ,通过单井高频层序分析 ,将其划分出 3个层序 9个体系域 ,发育 4类 13个小层序组 ,其中可识别的小层序达 5 0多个 ;采用滤波技术和傅里叶变换 ,对单井自然电位 (SP)测井曲线进行技术处理 ,获取其沉积旋回曲线和频谱曲线 ,以了解优势旋回的分布及旋回时限。研究结果显示 ,泌阳断陷湖盆的高频层序是由米氏旋回所驱动的古气候周期性波动所形成的。亦即 ,古气候是影响陆相层序发育的一个重要因素 ,其周期性变化是源于米氏旋回的驱动力 (即米兰柯维奇天文旋回 )。米兰柯维奇天文旋回包括偏心率旋回、倾斜率旋回和岁差旋回 ,这几个轨道参数所驱动的古气候变迁 ,分别形成了周期为 10万a (或4 0万a)、 4万a及 2万a的高频层序 ,即小层序组、小层序及小层单元。     

Cl2/Ar/BCl3感应耦合等离子体GaN/Al0.28Ga0.72N的非选择性刻蚀

利用Cl₂/Ar/BCl₃感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对GaN与Al_0.28Ga_0.72N材料之间的非选择性刻蚀和刻蚀以后GaN/Al_0.28Ga_0.72N异质结的表面物理特性进行了研究. 实验表明, 优化等离子体中BCl₃的含量(20%~60%), 提高ICP功率和直流偏压, 降低反应室压强有利于获得非选择性刻蚀. 而GaN/Al_0.28Ga_0.72N异质结刻蚀后的表面形貌与等离子体中的化学组分、反应室压强有密切的关系. 在Cl₂/Ar(4︰1)中加入20% BCl₃可以在较高的刻蚀速率条件下获得GaN和Al_0.28Ga_0.72N之间的非选择性刻蚀, 并将GaN/Al_0.28Ga_0.72N异质结刻蚀后的表面均方根粗糙度由10.622 nm降低至0.495 nm, 优于未刻蚀的GaN/Al_0.28Ga_0.72N异质结的表面. AES分析表明, 在刻蚀过程中从AlGaN的表面有效除去氧对获得非选择性刻蚀和光滑的刻蚀表面是至关重要的.