纳米Fe含量对Fe/环氧树脂复合材料吸波性能的影响

为有效防止家用电器的杂散电磁辐射对人体的危害，设计并制备了纳米Fe颗粒增强环氧树脂基复合材料，本文介绍了该复合材料的设计原理，纳米Fe粉的粒径分布和复合材料的制备工艺，并对其微波吸收行为进行了探讨，研究表明，纳米Fe颗粒增强环氧树脂基复合材料具有良好的吸波功效，吸波规律与Fe粉添加量有关系，随Fe粉含量增加，吸波效率增大，但到达一个峰值时又回落，中间有一最佳值。需进一步研究其它吸波介质和复合介质的电磁匹配参数。     

在普通拉伸试验机上实现恒应变速率变形的方法

本文从理论上分析了拉伸试验中真应变速率与夹头移动速率之间的关系,提出一种在普通拉伸试验机上实现恒应变速率变形进行超塑性研究的方法.     

时效对Cu-Cr-Zr合金显微硬度及导电率的影响

探讨了时效工艺及形变量对Cu 0 .3Cr 0 .15Zr合金显微硬度及导电率的影响。结果表明 ,合金经 92 0℃固溶处理后在 4 2 0℃及 4 6 0℃时效可分别达到较好的硬度和导电率 ,分别达 183HV和 6 8%IACS ;时效前对合金加以适当冷变形可加速合金时效析出过程。影响合金导电率的主要因素是基体中固溶元素的含量 ,含量越高 ,导电率越低 ,反之则越高。而时效前冷变形可以增加合金内部位错等缺陷的数量 ,加速了合金第二相的析出。     

脉冲电流对Cu-2.5Fe-0.03P-0.1Zn合金组织和性能的影响

采用微秒级高密度脉冲电流对CuFeP合金进行时效处理 ,试验研究了脉冲电流处理对合金显微组织及硬度的影响。结果表明 ,适当参数的电脉冲时效 ,可使Cu 2 .5Fe 0 .0 3P 0 .1Zn合金的析出相控制在细小的纳米尺度 ,在合金的电导率高于 6 0 %IACS的同时 ,显微硬度达到HV115 ,从而使二者实现较理想的配合     

冷却方式对HMn59-2-1-0.5合金组织 与耐磨性的影响

研究了不同冷却方式对HMn59-2-1-0.5合金的组织、硬度及耐磨性的影响。结果表明HMn59-2-1-0.5合金具有较高的热稳定性,经720℃加热保温200℃炉内恒温冷却1.5～2.5h处理后能达到α相≤5%及HB168±8的组织和硬度要求,耐磨性好于进口材料,完全可以满足轿车同步器用齿环性能要求。     

铜合金时效工艺与性能映射关系的模糊控制模型

采用模糊控制技术对Cu 2 .5 %Fe 0 .0 3%P 0 .1%Zn合金的时效工艺与时效后综合性能的映射关系进行建模 ,以期在设定的时效工艺参数范围内 ,预测出时效处理合金的综合性能。建模是在试验实测数据作为学习样本 ,通过模糊推理和决策的基础上 ,用试验数据的一部分检验预测模型。结果表明 ,在本文试验条件下 ,其性能的预测值和实测值呈现出较好的吻合性 ,相对误差为± 5 %。     

吸波材料的研究现状与进展

吸波材料是一种重要的军事隐身材料和民用防护材料，其机理本质上是电磁波与物质的相互作用，由电磁损耗机制可分为三种类型，即电阻型、电介质型和磁介质型。本文从这三种类型的不同机理出发，分别论述了碳纤维、石墨、导电高聚物、钛酸钡、铁氧体及金属微粉的研究现状和发展趋势，较为详细地介绍了新型纳米材料的性质和在吸波方面的机理、应用，并对其它新型吸波材料的研究现状也有论述，最后对吸波材料的应用前景进行了展望。     

电脉冲时效对 Cu-Ni-Si合金组织和性能的影响

采用微秒级高密度脉冲电流对Cu-3．2Ni-0．75Si合金进行时效处理，系统研究了不同的电脉冲工艺对合金的显微硬度、电导率及微观组织的影响。结果表明，电脉冲可以实现Cu-3．2Ni-0．75Si合金的快速时效；并且在一定的电脉冲时效工艺下，合金形成类调幅组织，使合金的硬度有很大程度的提高；同时，合金元素沿电脉冲冲击方向的有序偏聚，使其电导率恢复，从而实现二者较理想的配合。     

超细全硫化粉末丙烯酸酯橡胶增韧酚醛树脂及其在有机磨具中的应用研究

采用新型超细全硫化粉末丙烯酸酯橡胶增韧改性酚醛树脂,通过傅里叶红外光谱、DTA-TG等研究了改性树脂的界面反应和耐热性.研究结果表明,超细丙烯酸酯橡胶表面存在大量的活性基团,可以与酚醛树脂发生化学键连接,因此可以同时提高改性树脂的耐热性和冲击强度;力学性能研究表明采用改性树脂制备的树脂磨具的强度和韧性都得到提高,同时材料的硬度不变,因此该树脂可广泛应用于精磨和抛光磨具.     

20Cr2Ni4A钢混晶机理的初步研究

本文研究了不同铝含量的20Cr_2Ni_4A 钢奥氏体晶粒长大过程。实验结果表明,本质晶粒度检验中出现混晶与否决定于奥氏体晶粒的粗化温度,而粗化温度的高低又主要受控于钢中的 AIN 相的大小、数量和分布。此外,恒温延时实验结果还表明:在930℃下保温3小时后,继续延长保温时间达100小时,并不发生晶粒长大过程。