难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究

本文对难熔金属及其硅化物的形成、特性进行了研究．主要对难熔金属Mo、难熔金属硅化物TiSi2、PtSi2等进行了探讨．采用溅射难熔金属、热硅化反应的手段，对解决VLSI工艺的某些问题，如：解决由于MOS电路图形尺寸缩小带来的概电阻增大的问题以及采用硅化物（如PtSi2）一阻挡层（W、MO、Ti等）一Al多层金属布线、解决欧姆接触和铝的电迁移问题起了极好的作用．     

湿度变送器信号调理电路的设计

利用薄膜电容湿度传感器设计了湿度变送器.湿度变送器以湿敏元件为核心,利用或非门电路或者555电路构成检测电路,利用运算放大器OP295和BD237构成输出电路,实现4～20 mA电流输出. 利用RCV420构成输出电路,实现0～5 V电压输出.利用盐饱和溶液标定法对湿度变送器进行标定,制出精度达±2%的湿度变送器.经过实际应用证明,其硬件结构简单,成本低,具有较好的测量精度,适于日常生活和工业过程控制.     

难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究

本文对难熔金属及其硅化物的形成，特性进行了研究。     

VDMOS结构击穿电压的设计与分析

本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的ＶＤＭＯＳ结构击穿电压的解析表达式,描述了浮动电位保护环和场板效应的对穿通击穿电压的改进,经比较,理论结果与测量数据有较好的一致性。     

难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究

本文对难熔金属及其硅化物的形成，特性进行了研究。主要对难熔金属Ｍｏ、难熔金属硅化物ＴｉＳｉ，ＰｔＳｉ２等进行了探讨，采用溅射难熔金属，热硅化反应的手段，对解决ＶＬＳＩ工艺的某些问题，如：解决由于ＭＯＳ电路图形尺寸缩小带来的栅电阻增大的问题以及采用硅化物－阻挡层－Ａｌ多层金属布线，解决欧姆接触和铝的电迁移问题起了极好的作用。