难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究

本文对难熔金属及其硅化物的形成、特性进行了研究．主要对难熔金属Mo、难熔金属硅化物TiSi2、PtSi2等进行了探讨．采用溅射难熔金属、热硅化反应的手段，对解决VLSI工艺的某些问题，如：解决由于MOS电路图形尺寸缩小带来的概电阻增大的问题以及采用硅化物（如PtSi2）一阻挡层（W、MO、Ti等）一Al多层金属布线、解决欧姆接触和铝的电迁移问题起了极好的作用．     

多层溅射方法制备WSix／Si薄膜技术研究

采用多层溅射技术制备了不同成分的ＷＳｉｘ／Ｓｉ薄膜，然后利用真空退火形成硅化钨．对用此技术制备的难熔金属硅化物的结构特性、电学特性和氧化特性进行了系统的研究．结果表明这种技术具有以下特点：可以通过控制成分得到不同晶格结构的硅化物薄膜，可在硅衬底上形成浅接触，还可以防止金属钨的氧化．     

MFS和MFOS结构的C—V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构。利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管。     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

离子注入形成FeSi2埋层的电镜研究

利用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｆｅ离子注入到Ｓｉ基体中会生成一层铁硅化物薄膜．利用电子显微镜，研究了这层铁硅化物的显微结构及其在随后的升温退火过程中发生的变化．研究结果表明，在离子注入剂量为１×１０１７／ｃｍ２的未退火样品中，亚稳的γ－ＦｅＳｉ２相占大多数，同时有少量的由ＣｓＣｌ结构派生的缺陷相Ｆｅ１－ＸＳｉ．在（１００）取向的Ｓｉ片上，这个硅化物层埋在硅基体中，形成了厚度为２５ｎｍ左右的埋层（ｂｕｒｉｅｄｌａｙｅｒ）结构     

难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究

本文对难熔金属及其硅化物的形成，特性进行了研究。     

金属添加剂对MgO－C耐火制品力学性能的影响

在实际生产条件下，研究了Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｉ等金属添加剂及Ｍｇ－Ａｌ、Ｓｉ－Ａｉ－Ｂａ－Ｆｅ等复合金属添加剂对碳结合ＭｇＯ－Ｃ复合耐火制品的抗压、抗折强度的影响。研究结果表明，除Ｔｉ、Ｎｉ外，其它金属添加剂均能改善制品的力学性能，而且添加金属复合物的增强效果优于添加单一的金属粉。试验中还发现，成型压力对制品力学性能有明显的影响。     

Mo-Si 系机械合金化过程中的相结构变化

用ＴＥＭ和ＸＲＤ技术研究了Ｍｏ－１５．１６％Ｓｉ,Ｍｏ－３０％Ｓｉ和Ｍｏ－３６．３％Ｓｉ（质量分数）粉机械合金化过程中的相结构变化．在机械合金化（ＭＡ）过程的初始阶段,３种混合物的ＸＲＤ图中Ｓｉ峰首先消失,经长时间的球磨后,都可以转变为非晶,但不同成分混合粉的中间产物不同．Ｍｏ－３０％Ｓｉ和Ｍｏ－３６．３％Ｓｉ是通过Ｍｏ与Ｓｉ之间的互扩散反应形成ＭｏＳｉ２和Ｍｏ５Ｓｉ３金属间化合物,Ｍｏ－１５．１６％Ｓｉ则是形成了过饱和固溶体而没有形成金属间化合物．     

α—（AlMnSi）空间构型与价电子结构分析

分析了金属间化合物α－（ＡｌＭｎＳｉ）的空间结构，并运用余瑞璜的固体与分子经验电子论中的键距差分析法计算了α－（ＡｌＭｎＳｉ）的理论键距及其各种原子所选取的杂阶，在此基础上计算出α－（ＡｌＭｎＳｉ）中Ｍｎ原子键络的共价键键能。     

快凝Al-Si-Fe-Mn合金摩擦磨损性能研究

对采用快速凝固技术工艺制备的Ａｌ－Ｓｉ－Ｆｅ－Ｍｎ合金与Ａｌ－１７Ｓｉ－０．５Ｍｎ和Ａｌ－７Ｓｉ－１．３Ｆｅ－０．５Ｍｇ铸态合金进行了摩擦磨损试验,并对几种合金摩擦磨损行为进行了研究,试验结果表明,快凝Ａｌ－Ｓｉ－Ｆｅ－Ｍｎ合金比其它铸态合金的耐磨性明显增加。     

用区熔,电迁移和区熔—电迁移联合法提纯金属钕的研究

对工业纯电解钕分别进行了区熔提纯、固态电迁移提纯和区熔－电迁移联合法提纯的实验研究。结果表明：这三种提纯方法在分离金属钕中的Ｆｅ、Ｃ、Ｓｉ、Ｍｏ等杂质方面各有特色，而区熔－电迁移联合法对金属钕中的主要有害元素Ｃ、Ｓｉ、Ｍｏ的提纯则更为有效、快速。     

α－（AlMnSi）空间构型与价电子结构分析

分析了金属间化合物α－（ＡｌＭｎＳｉ）的空间结构，并运用余瑞璜的固体与分子经验电子论中的键距差分析法计算了α－（ＡｌＭｎＳｉ）的理论键距及其各种原子所选取的杂阶．在此基础上计算出α－（ＡｌＭｎＳｉ）中Ｍｎ原子键络的共价键键能．     

氮对灰铸铁初生奥氏体二次枝晶组织的影响

采用单向凝固方法研究了氮对Ｆｅ－Ｃ－Ｓｉ和Ｆｅ－Ｃ－Ｓｉ－Ｍｎ灰铸铁初生奥氏体二次枝晶组织的影响，结果指出，氮使Ｆｅ－Ｃ－Ｓｉ－Ｍｎ灰铸铁初生奥氏体二次臂间减小，二次枝晶组织细化。     

金属—铁电薄膜—半导体结构的电容—电压特性理论分析

用半导体理论讨论了金属－铁电薄膜－半导体（ＭＦＳ）结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特性，其结果表明：在ｎ型Ｓｉ基片上，理想ＭＦＳ的Ｃ－Ｖ曲线为逆时针回滞，有载流子注入的ＭＦＳ结构的Ｃ－Ｖ曲线为顺时针回滞，这与实验结果是一致的。     

Fe－Mn－Si－Cr形状记忆合金的耐腐蚀性能

通过腐蚀重量法实验及电化学测试，研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ－Ｃｒ形状记忆合金的耐腐蚀性能，并与Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金及１８－８铬镍不锈钢的耐腐蚀性能作了比较。结果表明，Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ－Ｃｒ合金的耐腐蚀性能明显高于Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金，在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ－Ｃｒ合金中随着铬含量的增加，其耐腐蚀性能也相应提高。     

非晶态合金的自旋波激发与结构涨落及超精细场分布

本文研究了非晶态（ａ）－Ｆｅ－ＴＭ－Ｓｉ－Ｂ（ＴＭ＝Ｃｏ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｎｂ）合金从１．５Ｋ到３００Ｋ的磁化强度及室温穆斯堡尔谱，得到了成里温度Ｔｃ、饱和磁化强度σｓ（０）、自旋波颈度常数Ｄ及平均超精细场等。结果表明，（ａ）对于Ｆｅ８３Ｓｉ５Ｂ１２，当Ｎｂ，Ｍｏ与Ｓｉ，Ｃｏ取代Ｆｅ后，Ｆｅ－（Ｎｂ，Ｍｏ）－Ｓｉ－Ｂ的磁性质不同于Ｆｅ－（Ｓｉ，Ｃｏ）－Ｓｉ－Ｂ；（ｂ）ａ－Ｆｅ－（Ｍｏ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｗ，     

铁基形状记忆合金热塑性

研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金热塑性。结果表明：合金中硅含量的增加可提高合金的记忆效应，却严重损害合金热塑性；微量元素Ｍｇ的加入可大大改善合金的热塑性，而不降低记忆效应。由于Ｍｇ元素的加入，含Ｓｉ量达４％的Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金也能顺利地热轧成无缝管，提高了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金实用性。     

1000℃MgO—B2O3—SiO2三元相关系研究

ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系１０００℃时，３５％≤ＭｇＯ％〈６０％组成范围内平衡相均为固相，其相关系可由Ｍｇ３Ｂ２Ｏ６－Ｍｇ２ＳｉＯ４－Ｍｇ２Ｂ２Ｏ５，Ｍｇ２Ｂ２Ｏ５－Ｍｇ２ＳｉＯ４－ＭｇＳｉＯ３，Ｍｇ２Ｂ２Ｏ５－ＭｇＳｉＯ３－ＳｉＯ２三个结线三角形表示。各平衡相量之间关系可应用ＸＲＤ定量相分析或重心规则计算。     

提高60kg级结构钢焊条低温韧性的研究

采用微合金化方式，通过焊条药皮向焊缝过渡微量合金元素来提高Ｓｉ－Ｍｎ－Ｍｏ系６０ｋｇ级结构钢焊条焊缝金属低温韧性。试验结果表明：仅向焊缝过渡大约０．０２１％Ｔｉ时，焊缝韧性就较大的改善。     

MCM—41分子筛的合成与表征

在Ｎａ２Ｏ－（ＣＴＭＡ）２Ｏ－ＳｉＯ２－Ｈ２Ｏ与（ＴＭＡ）２Ｏ－（ＣＴＭＡ）２Ｏ－ＳｉＯ２－Ｈ２Ｏ体系中分别合成了不同硅铝比及全硅ＭＣＭ－４１分子筛样品，考察了诸因素对晶化过程的影响，同时对其酸性，热稳定性和催化性能进行了表征。