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分别采用钨酸锆靶（ZrW2O8）和氧化锆（ZrO2）与氧化钨（WO3）的复合靶，在磁控溅射条件下制备钨酸锆（ZrW2O8）薄膜，研究了靶材制备工艺、复合靶成分配比以及热处理温度对薄膜成分的影响，并对薄膜生长方式进行了初步探讨．结果表明：ZrW2O8靶材制备的薄膜在700℃处理后薄膜中ZrW2O8纯度较高，相同配比下，复合靶制备的薄膜经750℃处理后薄膜中ZrW2O8含量最高；以凡（ZrO2）：n（WO3）为1：2．8的复合靶材制备的薄膜经热处理后，结晶度优于凡（ZrO2）：n（WO3）为1：2获得的薄膜，并且ZrW2O8最佳含量的热处理温度较低；热处理时薄膜的生长机制为岛状生长方式；ZrW2O8薄膜在（211）和（220）晶面上的热膨胀系数均为负值． 相似文献
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以高纯ZrO2和WO3复合氧化物为靶材,采用射频磁控溅射方法在石英基片上制备ZrW2O8薄膜.对不同热处理温度后的薄膜进行XRD分析,结果表明,在650 ℃下薄膜为无定形,ZrW2O8晶化起始温度为650 ℃,当热处理温度高于1 100 ℃时,薄膜主要由ZrO2相组成.进一步采用高温XRD分析薄膜物相,发现在720 ℃时,能获得较纯的ZrW2O8薄膜.根据ZrW2O8晶面(2 1 1)间距随温度变化的结果,计算所制备的薄膜态ZrW2O8的热膨胀系数为-2.54×10-5/℃.SEM分析结果显示在ZrW2O8相所存在的温度范围内,薄膜非常致密而无明显孔洞. 相似文献
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