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III族氮化物半导体是性能优越的半导体材料，在光电子器件方面已有重要的应用，特别是InN具有较小的有效电子质量，较高的室温电子迁移率以及具有半导体中最高的饱和电子漂移速度，被认为在低损耗高效电池及特殊探测器方面具有巨大的应用前景，这就引起了人们越来越多的关注．然而，几乎所有直接生长的InN薄膜都是”型的，薄膜中氧含量相当高，氧含量最高接近10%，体材料被严重污染．近年来，自从San—droff发现通过S对GaAs（001）进行简单的化学处理以后，使GaAs表面的电子性质得到了很大的改善. 相似文献
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目前生物体内ATP合酶催化ATP水解的研究是生物催化方向的研究热点。为了探索ATP合酶催化ATP水解的机制,本研究模拟生物体系环境,在N2氛围中,采用甲醇溶液回流的发散合成法合成了多功能化的树形大分子,用核磁、红外光谱等方法对其结构进行了表征,并利用其多作用位点的特征对不同阴阳离子进行了识别作用的分析。结果表明:G1.0 PAMAM(L)与Mn2+的识别效果最明显,荧光强度增加18倍,根据修饰的Benesi-Hildebrand方程得到了G1.0 PAMAM与Mn2+最佳配位比为1∶1,结合常数为1.13×104L/mol;采用Job’s法对主客体配位比进行了验证;同时,F-对G1.0 PAMAM荧光猝灭现象最明显,根据修饰的Benesi-Hildebrand方程确定了两者的最佳配位比为1∶1,结合常数为2561 L/mol。该结果开辟了新的一类模拟酶催化剂体系,并为研究ATP合酶的作用机理提供理论依据。 相似文献
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对有机玻璃2跨直线连续箱梁进行了弹性阶段试验,对连续箱梁在均布荷载与集中荷载下的应变变化规律以及剪力滞效应进行了初步研究.研究结果表明:均布荷载与集中荷载下剪力滞效应较显著,不同的荷载形式产生不同的剪力滞效应. 相似文献
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Ⅲ族氮化物半导体是性能优越的半导体材料,在光电子器件方面已有重要的应用,特别是InN具有较小的有效电子质量,较高的室温电子迁移率以及具有半导体中最高的饱和电子漂移速度,被认为在低损耗高效电池及特殊探测器方面具有巨大的应用前景,这就引起了人们越来越多的关注. 相似文献
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