首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8篇
  免费   0篇
现状及发展   1篇
综合类   7篇
  2022年   1篇
  2019年   2篇
  2013年   1篇
  2012年   1篇
  2009年   1篇
  2008年   1篇
  2007年   1篇
排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
室温离子液体作为一种新型的优良溶剂,在纳米材料合成中具有诱人的应用前景.本文简要介绍了近几年来室温离子液体在单质、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物和含氧酸盐等纳米材料制备中应用的一些研究进展,重点介绍了我们实验室最近有关微波辅助离子液体法快速制备一维纳米材料方面的研究工作,并讨论了室温离子液体在纳米材料制备过程中的主要作用.  相似文献   
2.
全固态Z型光催化体系能够促进光生电荷的分离、迁移和复合,同时又能抑制逆反应的发生。从全固态Z型光催化体系的构成、光催化机理及应用出发,详细阐述了全固态Z型光催化体系的优越性;同时以g-C_3N_4、BiVO_4为例,综述了近年来全固态Z型光催化体系的研究进展。  相似文献   
3.
以Fe_3O_4为前驱体,采用溶剂热法制备了Fe_3O_4/NiFe-LDHs复合材料。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、红外吸收光谱仪和交变梯度磁强计研究了添加剂的种类和用量对复合材料结构、形貌、结晶性等的影响。实验结果表明:添加剂离子与铁离子的络合能力影响Fe_3O_4/NiFeLDHs的生长;添加适量络合能力强的柠檬酸三钠可促进单一Fe_3O_4/NiFe-LDHs复合材料的生成;添加络合能力弱的酒石酸钾钠,易生成杂质相Ni(OH)_2。制备得到的Fe_3O_4/NiFe-LDHs复合材料均为顺磁性。  相似文献   
4.
碱式碳酸铜作为一种常见的铜基催化剂,其类芬顿反应活性可通过引入多种变价元素获得提高.利用水热法制备了铁/钴改性碱式碳酸铜,利用X射线衍射法研究了铁/钴改性对碱式碳酸铜结构和生长的影响.以亚甲基蓝为降解物,研究了铁/钴改性、反应温度对亚甲基蓝降解反应动力学和反应速率的影响.实验结果表明,由于钴和铜元素的协同增强作用,以钴改性碱式碳酸铜为催化剂时,亚甲基蓝降解反应活化能最低(74.53 kJ·mol-1),反应速率最快,表现出最佳的类芬顿反应活性.  相似文献   
5.
表面包覆惰性层是解决四氧化三铁(Fe3O4)粒子团聚、易氧化、亲水性差等问题的一种有效方法,但惰性层的引入一般会导致包覆后样品磁性能下降,从而限制了Fe3O4的应用.以正硅酸乙酯(TEOS)和氨水为原料,制备了具有良好磁响应性的Fe3O4/SiO2核壳结构.样品的结构、形貌、尺寸和表面吸附官能团采用X-ray粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和红外光谱(FTIR)等测试手段进行了表征.研究发现,TEOS加入方式影响SiO2层生长过程,从而影响包覆的均匀程度.Fe3O4/SiO2核壳结构表现出顺磁性和良好的磁响应性(52emu/g).  相似文献   
6.
利用聚乙烯吡咯烷酮制备银纳米粒子   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的还原性,通过水热法还原Ag2O制备了Ag纳米粒子,并初步探讨了PVP作为还原剂的还原机理.利用X-ray粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)对Ag纳米粒子进行了表征分析.实验结果发现,PVP在制备Ag纳米粒子的过程中可同时起到还原剂和表面活性剂的双重作用.  相似文献   
7.
分别以Fe3O4、β-FeOOH、和α-Fe2O3作为前驱物,采用Stober水解法制备了氧化铁/氧化硅核壳结构,研究了前驱物种类和原料用量对二氧化硅包覆过程的影响.随着氨水和TEOS用量的增加,包覆层厚度增加,包覆更加均匀.对样品进行了扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和红外光谱(IR)表征.实验结果表明,在三种类型的前驱物中,二氧化硅在β-FeOOH表面包覆最均匀,包覆效果最好.  相似文献   
8.
利用鸡蛋壳膜控制反应物的扩散速度,制备了不同形貌的CaCO3材料,模拟再现了生物矿化过程中Ca2 离子在有机物调制下形成不同形貌CaCO3的过程.由于壳膜内外表面结构不同,沉积在外表面得到由片状粒子组成的CaCO3晶体,而沉积在壳膜内表面得到由小粒子组成的多面体CaCO3晶体.利用X-ray粉末衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等测试手段对样品的物相、结构、形貌和尺寸进行了表征,并初步探讨了CaCO3的形成机理.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号