基于田口法的在玻璃基板上溅射ITO薄膜制作工艺研究

利用射频磁控溅射方式将氧化铟锡(ITO)沉积在玻璃基板上,设定温度、压力、溅射功率为主要参数,每个参数均有3个水平,运用田口实验方法设计L9直交表,质量目标设定为方阻,以变异数分析得到的结果作为最优工艺参数条件,并测量膜厚、透光率.以X光衍射仪分析结晶状况、SEM观察结构及生长型态来了解其性质.结果显示功率对方阻的影响最大,贡献度占91%,而功率大,薄膜厚度越厚,晶粒粒径较大,结晶性较强,方阻减小及透过率降低.由于结晶性好也提高透光率,膜厚100~300 nm时,透光率80%以上.最优工艺参数为温度230 ℃、功率300 W及压力在1.5 mTorr下有方阻最小.     

添加氮化钛钇稳定氧化锆导电性能

为了使氧化锆在刀、模具零件的应用上更加广泛,需提高其放电加工特性。在钇稳定氧化锆(YSZ)中添加不同配比的导电氮化钛(TiN)粉末制成复合材料。对烧结坯测试电阻率、借助 SEM 观察微结构,进行电火花加工实验：以电压、电流及脉冲时间等作为控制参数,测试放电加工材料去除率与表面粗糙度等特性。结果表明：添加 TiN 在 ZrO2基体内形成导电的网状组织,添加量达到30 wt%,电阻率降低至3.86×10-3Ω·cm 时,满足电火花加工导电性要求。相同加工条件下,与 WC/Co 比较,3YSZ/TiN 去除率更大,表面粗糙度也相对较大。电流对材料去除率影响较大,随着电流脉冲宽度增大,材料去除率增加,表面粗糙度下降。     

基于田口法的在玻璃基板上溅射ITO薄膜制作工艺研究

利用射频磁控溅射方式将氧化铟锡(ITO)沉积在玻璃基板上,设定温度、压力、溅射功率为主要参数,每个参数均有3个水平,运用田口实验方法设计L9直交表,质量目标设定为方阻,以变异数分析得到的结果作为最优工艺参数条件,并测量膜厚、透光率。以X光衍射仪分析结晶状况、SEM观察结构及生长型态来了解其性质。结果显示功率对方阻的影响最大,贡献度占91%,而功率大,薄膜厚度越厚,晶粒粒径较大,结晶性较强,方阻减小及透过率降低。由于结晶性好也提高透光率,膜厚100~300nm时,透光率80%以上。最优工艺参数为温度230℃、功率300 W及压力在1.5mTorr下有方阻最小。     

ASP2030气体渗铬层的制备及性能

研究采用热反应扩散镀膜法(Thermal Reactive Diffusion/Deposition,TRD)在ASP2030粉末高速钢上表面进行气体渗铬处理,在相同的时间下对有无氮化预处理的试片进行950℃、900℃、850℃、800℃、750℃的渗铬实验,再用扫描电镜(SEM)线扫描分析(line-scan),测量铬原子扩散深度,并求出有无氮化预处理渗铬的扩散激活能(Q)及扩散常数(D0),讨论彼此间差异的因子。再将预氮化渗铬及渗铬后的试片,用耐磨试验机进行不同渗铬温度下渗铬层的磨耗情形,了解渗铬层的耐磨性,最后再以X光绕射分析,测量有无氮化处理基材表层渗铬层中晶体的组成,探讨在高温及低温下晶体的变化情况。实验结果显示,在950℃、900℃、850℃、800℃及750℃渗铬中,经氮化处理后ASP2030铬原子扩散深度增加。将所量测各条件渗铬后膜厚以最小平方法求出ASP2030有无氮化渗铬的线性方程式,可得到ASP2030渗铬和ASP2030预氮化后渗铬扩散激活能分别为118.965kJ/mol及111.632kJ/mol,表示氮化对ASP2030激活能的影响较小。ASP2030有无氮化预处理的表层硬度为1 570 Hv及1 860 Hv。在耐磨实验中,ASP2030粉末钢渗铬后的渗铬层耐磨性差。在XRD绕射分析所显现的晶体构造与无氮化高温渗铬时,两者基材均有Cr_2C的组织,有氮化预处理时则另有Cr_2N的结构,在较低温渗铬时,基材在无氮化处理时是Cr_7C_3,则氮化处理后有CrN的结构。