绝缘环氧模塑料表面导电聚吡咯薄膜的化学聚合与表征

电磁波干扰越来越多地存在于我们的日常生活中,许多微电子封装材料需要具备屏蔽电磁波的功能.聚吡咯由于具有良好的导电性能和环境稳定性,表现出优异的电磁屏蔽能力.我们利用化学聚合法在绝缘环氧模塑料封装材料表面制备得到了导电聚吡咯薄膜,用X射线光电子能谱、红外光谱、扫描电子显微镜对聚合物薄膜进行了表征.通过SEM分析表明,经对甲基苯磺酸钠掺杂后,制备得到的聚吡咯薄膜均匀连续、致密平整,用四探针测试仪测得掺杂后聚吡咯薄膜的电导率达到了2.3×103S/m以上.     

BA和激素对‘Bonny Best’试管番茄愈伤组织形态发生的影响

用’Bonny Best’番茄品种的子叶和下胚轴作为外植体,在MS附加不同水平和比率的BA和2,4—D(或NAA)或IAA的培养基中,愈伤组织形态发生的情况是不同的。MS+BA4.44μM+2,4-D10μM(子叶),MS+BA0.44-4.44μM+2,4-D1—5μM(下胚轴)使外值体产生淡黄色疏松的愈伤组织,而且生长迅速。若2,4-D浓度低于5μM(子叶)或高于5μM(下胚轴)时,外植体形成白色紧密的愈伤组织,而且生长缓慢,固定2,4-D的浓度,BA浓度由高到低,所形成的愈伤组织的结构由紧密向疏松变化。愈伤组织的液体培养中也出现了类似现象。把愈伤组织转移到生茎培养基中,白色紧密的愈伤组织形成茎较为容易,培养21天后,茎的分化即开始。而疏松的愈伤组织的形态发生则经过了黄色疏松、深褐色胶状到白色紧密的变化。茎的分化出现较晚。愈伤组织培养时生长调节剂的水平对茎的分化有着直接的影响。较高水平的BA(22.2—44.4μM)+NAA10-40μM有利于茎的分化。把子叶和下胚轴切段培养在MS+BA22.2-44.4μM+IAA1-5μM的生茎培养基上,24—60天后,70％以上的外植体正常分化并伸长成茎,生枝率每个切段为3—4个。转移到MS培养基上,形成正常的带根幼苗。把下胚轴切段直接培养在没有激素的MS培养基上,三周后,45.8％的下胚轴形成正常幼苗,出枝率为1.0。把这些幼苗移栽到温室     

低硅Beta分子筛的合成研究

分两步法合成了低硅Beta分子筛,并以丙烯酸与异戊醇酯化反应作探针反应考察了低硅Beta分子筛的酸性能。结果表明:所合成的Beta分子筛具有独特的结构和酸性特征,反应温度140℃,反应时间2.5 h的条件下,丙烯酸的转化率可达76%。     

查干凹陷白垩系至新生界不整合类型和特征

 查干凹陷经历了极其复杂的构造活动过程,形成多个不整合类型.在系统划分该凹陷白垩系至新生界不同级次层序的基础上,识别了各级层序界面的不整合类型,提出了一种新的不整合类型划分方案.根据不整合面上下地层几何关系、地震反射终止形式和不整合面成因机制(构造和沉积),将查干凹陷不整合划分为2大类：角度不整合、平行或微角度不整合,进一步划分为7种基本类型：褶皱型、断褶型、削蚀型3种构造不整合以及超覆型、退覆型、顶超型、整一型4种沉积不整合.在这7种基本类型的基础上,按照A/B-C·D代码系统划分不整合类型的新方法,将查干凹陷不整合细分为9小类：上超/整一-超覆型、上超/顶超-超覆型、上超/削截-超覆·削蚀型、上超/削截-断褶·退覆型、整一/削截-削蚀型、整一/削截-褶皱型6种角度不整合类型,以及整一/顶超-顶超型、整一/整一-整一α型、整一/整一-整一β型3种平行或微角度不整合类型.各级层序界面不整合类型的基本分布规律是,洼陷中心主要发育平行或微角度不整合类型,向外渐过渡为角度不整合类型,高级次层序单元(如一级层序、构造层序和超层序)界面常发育多种角度不整合类型并作为主体,低级次层序单元(如层序)界面常发育多种平行或微角度不整合类型并作为主体.