掺铟氧化锡“之”字形纳米线结构及发光性能研究

掺铟氧化锡(ITO)是一种宽带隙透明导电半导体材料,广泛地应用于各种平板显示器和气敏元件等。该文利用碳热还原方法成功制备出铟掺氧化锡"之"字形掺铟氧化锡纳米线结构,借助X射线衍射分析仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜以及能谱分析观测纳米线的结构形貌以及成分分析,提出了一种"之"字形结构可能的形成模型,并进一步研究了氧化铟锡在室温下的光致发光性能;光致发光光谱主要包含有5个发光峰,分别是紫光峰(400 nm)、蓝光峰(452 nm,470 nm)、青光峰(487 nm,497 nm)。     

球形花状ZnO微-纳分级结构的制备及其光电化学性能

文章采用一种热蒸发的方法在镀有Zn膜的掺F的SnO2(FTO)导电玻璃上制备出球形花状ZnO微-纳米分级结构,利用SEM、XRD、PL等手段对球形微-纳米结构的形貌、成分和发光性能进行了分析。分析结果表明,球形花状六方纤锌矿ZnO微-纳米分级结构具有表面多孔特征,有利于染料的吸收。球形花状ZnO微-纳米结构存在近带边发射的近紫外发光(402nm)和来自于深能级缺陷的可见发光(460nm和500nm)。将所制备的样品作为光阳极组装成染料敏化太阳能电池(DSSC),该电池的转换效率η=0.67%,比以纳米棒、树枝状纳米结构、纳米梳作为光阳极材料的DSSC的转换效率要高,但是整体转换效率不高,这是由于晶体内部较多缺陷引起的。