嵌入SiO2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究

作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶，并通过系统的氧化性或还原性退火处理，以改变样品中Ge的氧化物成分组成．分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性，并结合XRD分析表明：300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc-GeO)纳米晶发光，而不是GeO的缺陷发光；570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc-Ge)发光，而不是Ge及Si界面的缺陷发光．