固相法制备Mo4.8Si3C0.6纳米粉体的反应机理研究

首先通过热力学计算探讨了合成Mo4.8Si3C0.6粉体的可能温度区间,进而以钼粉、硅粉和炭粉为主要原料,通过固相反应法来制备Mo4.8Si3C0.6粉体.采用XRD、SEM和BET等方法研究了温度对所得材料组成、比表面积、粒径和微观结构的影响.结果表明:在1 400～1 900 K温度范围内,Mo4.8Si3C0.6的标准生成吉布斯自由能较低,为-351.3～-338.1 kJ/mol;在1 823 K,1.5 h时能够获得无杂质相的Mo4.8Si3C0.6粉体,粉体颗粒呈花状,直径约3.2～4.2μm,组成花的六方片状晶粒厚度约为50～80 nm,粉体的比表面积为0.753 3 m2/g.固相法制备Mo4.8Si3C0.6粉体的反应机理为:反应温度为1 373 K时,主要产物为Mo2C;1 523 K时,主要产物为Mo5Si3,存在少量的Mo4.8Si3C0.6;当温度升高至1 673 K时,主要产物为MMo4.8Si3C0.6,仍存在部分Mo5Si3;1 823 K时,可获得无杂质相的Mo4.8Si3C0.6.     

高温氧化时间对MoSi_2-RSiC复合材料组成、微观结构和性能的影响

探讨了氧化时间对MoSi_2-RSiC复合材料组成、微观形貌、力学性能和导电性能的影响.结果表明:复合材料氧化主要在外表面生成致密的SiO_2层;材料的力学性能随氧化时间的延长先增大后减小,MS-2.62的抗弯强度和弹性模量在氧化40h后达到最大值,分别为146.03 MPa和239.49GPa,氧化100h后,三种材料的力学性能数据仍高于氧化前;随氧化时间的延长,材料的体积电阻率先减小后趋于平缓,MS-2.62氧化100h后的体积电阻率约为50mΩ·cm,比氧化前减小42%,影响因子的计算表明这种变化可能源于MoSi_2发生塑性变形而减少了复合材料中MoSi_2和RSiC相界面处的微裂纹数量,在一定程度上有利于MoSi_2材料导电性能的充分发挥.