KTaO3<-sub>:Cu2+的电子顺磁共振参量与局域结构理论研究

用基团模型的3d⁹离子在四角对称下的高阶微扰公式计算了KT_aO₃ 晶体中Cu²⁺杂质中心的g//因子!"! !# 和超精细结构常数"$ 和"##通过对四角,-./ 中心的012结果分析!发现杂质,-./ 占据了八面体)*$/ 的位 置!同时在,! 轴上的最近邻出现氧空位$34%#由于该空位引起的静电排斥作用!,-./ 将沿,! 轴在远34 方向上 位移一段距离!#%"5".’67#在考虑了上述的缺陷结构后!各向异性!     

一种低电压低功耗Rail-to-Rail CMOS运算放大器的设计

基于2 μm CMOS工艺!设计实现了一种2.4 V低功耗带有恒跨导输入级的RailtoRail CMOS运算放大 器。采用尾电流溢出控制的互补差分输入级和对称56类推挽结构的输出级，实现了满电源幅度的输入输出和恒 输入跨导；运用折叠共源共栅结构作为中间增益级，实现电流求和放大。整个电路在2.4 V的单电源供电下进行 仿真，直流开环增益为76.5 dB,相位裕度为67.6,单位增益带宽为1.85 MHz。     

一款基于MCU控制的高性能汽车HID灯电子镇流器

设计了一款基于单片机（MCU）控制的高性能汽车高强度气体放电灯(HID)灯电子镇流器。利用MCU实 现HID灯分段启动控制、恒电流控制、恒功率控制以及各种异常状态保护$采用软开关变频控制方案使反激式变 换器在额定输入工作电压下,始终处于临界导通状态,达到减小噪声和损耗并提高效率的目的。     

基于VIPer53e的反激式开关电源设计

介绍了VIPer53e芯片的内部结构及工作原理,设计了一款输入交流电压为220 V,输出直流电压为28 V,输出功率为50 W的基于VlPer53e的反激式开关电源,并结合电路分析该款电源的工作原理,详细阐述了电路主要参数的设计方法.样机实验和测试数据论证了设计方法和原理分析的正确性.该设计方法对于简化反激式开关电源的设计过程,提高设计效率有指导意义.     

一种低电压低功耗Rail-to-Rail CMOS运算放大器的设计

基于2 μm CMOS工艺,设计实现了一种2.4 V低功耗带有恒跨导输入级的Rail-to-Rail CMOS运算放大器.采用尾电流溢出控制的互补差分输入级和对称AB类推挽结构的输出级,实现了满电源幅度的输入输出和恒输入跨导;运用折叠共源共栅结构作为中间增益级,实现电流求和放大.整个电路在2.4 V的单电源供电下进行仿真,直流开环增益为76.5 dB,相位裕度为67.6 ,单位增益带宽为1.85 MHz.