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用分子束外延(MBE)技术外延生长了GaAs1-xBix(0x0.05)合金样品,并通过二次离子质谱(SIMS)研究了样品中从MBE腔体背景引入的诸如C、H、O、N等杂质的含量分布.结果表明,随着Bi含量在3%~5%之间不断增加,杂质C的含量显著下降,而O的含量则在Bi组分达到5%时才显著减小.由于应力补偿作用的影响,N和Bi的分布呈现非常强的相关性.但是,并没有观察到Bi对于H含量的分布有明显的影响作用.这些发现对于提高GaAsBi材料的质量具有重要的意义. 相似文献
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