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| MBE生长GaAsBi过程中Bi组分对背景杂质含量的影响 | |
| 引用本文： | 张凡,潘文武,王利娟,张焱超,宋禹忻,张立瑶,吴晓燕,王庶民.MBE生长GaAsBi过程中Bi组分对背景杂质含量的影响[J].四川师范大学学报(自然科学版),2018(5). |
| 作者姓名： | 张凡 潘文武 王利娟 张焱超 宋禹忻 张立瑶 吴晓燕 王庶民 |
| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海科技大学物质科学与技术学院;中国科学院大学;查尔姆斯理工大学微技术和纳米科学系 |
| 摘 要： | 用分子束外延(MBE)技术外延生长了GaAs1-xBix(0x0.05)合金样品,并通过二次离子质谱(SIMS)研究了样品中从MBE腔体背景引入的诸如C、H、O、N等杂质的含量分布.结果表明,随着Bi含量在3%~5%之间不断增加,杂质C的含量显著下降,而O的含量则在Bi组分达到5%时才显著减小.由于应力补偿作用的影响,N和Bi的分布呈现非常强的相关性.但是,并没有观察到Bi对于H含量的分布有明显的影响作用.这些发现对于提高GaAsBi材料的质量具有重要的意义. |
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