气流搅动法高压合成磷化铟

毫米波段的微波通信和长波长激光器的光纤通信大大增长了对磷化铟单晶的需要,因而磷化铟单晶生长的研究在国外取得很大进展,也引起了国内的重视。但高压液封直拉(LEC)单晶的缺陷密度和电学性能在很大程度上取决于原始多晶料的质量,单晶生长率更与多晶料中富铟量的高低有密切关系。为满足LEC的需要,我们摸索出一个新的高压合成磷化铟多晶料的方法——气流搅动法。结果表明,此法本身具有合成速度快,不会爆炸,原料铟可充分利用,合成产物接近化学计量等优点。就我们所用简单高压容器和电阻炉加热方法来说,设备简单,造价低廉。     

对─叔丁基─杯［8］芳烃对C_（60）的分子识别

通过甲苯溶液中对─叔丁基─杯［８］芳烃与Ｃ６０的反应，合成了它们的１：１络合物．产物经红外光谱、元素分析、Ｘ－射线粉末衍射确证．还采用固体１３Ｃ核磁共振技术研究对─叔丁基─杯［８］芳烃对Ｃ６０的分子识别．１３Ｃ魔角固体核磁共振谱清楚地揭示出Ｃ６０被包结在杯芳烃的疏水空腔中．１３Ｃ核磁共振静态谱表明被包在空腔中的Ｃ６０分子于室温时仍在快速旋转．这说明Ｃ６０分子与对─叔丁基─杯［８］芳烃之间的相互作用非常弱．     

磷化铟表面介质膜的等离子体生长

本文借助于等离子体辉光放电,采用(1)使InP表面自体氧化;(2)溅射淀积SiO_2;(3)在InP表面上蒸铝膜再氧化等工艺,获得三种介质膜.以下将这三种膜依次简称为膜1、膜2、膜3. 1.实验简述等离子体由GP-B高频感应加热设备产生.自体氧化和铝膜氧化的装置与以前介     

一种鉴别多晶硅晶粒优劣的方法

在国外,多晶硅太阳电池已和单晶硅电池并驾齐驱.在国内,多晶硅材料和电池也已投产.由于多晶硅生长方法和工艺条件的不同,将会产生晶粒质量上的差异.本文介绍一种鉴别晶粒优劣的方法,它与D.Leung等人的方法不同,是非破坏性的,用直接测量多晶硅扩散结的光电压来识别晶粒或者小区域质量的优劣. 用常规方法将P型多晶硅片清洗,腐蚀,扩散成n~+层,去除磷硅玻璃,背面印刷铝浆并烧结,然后在此面上再印刷并烧结一层银浆,使之与硅形成良好的欧姆接触,去除了硅片周边的扩散寄生结后,便可对扩散结的光电压进行测量.测量时,将数字万用表一棒与     

Y-Ba-Cu-O超导体中氧和三价铜的测定

提出一种用酸溶解块材YBa_2Cu_3O_x并测定其中氧及三价铜含量的方法。估计了方法的系统误差(小于3%)。对该法与热重分析法的结果作了比较。