（HgCd）Te探测器的光吸收系数对其有效Franz—Keldysh偏移的影响

在讨论（ＨｇＣｄ）Ｔｅ探测器耗尽层宽ｄ和光吸收系α的基础上，导出了探测器截止波长的有效Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ偏低Δλｃｅ与α、ｄ的关系式，说明了实验测定的Δλｃｅ偏低的原因。     

利用红外热像研究不同浓度腐蚀液中GaAs的反应启动时长

提出了一种测定材料湿法刻蚀启动时长的红外热成像新方法. 该方法的实质是利用反应启动时必然有化学热吸收或释放, 从而引起材料表面液膜温度变化这一特点, 通过红外热成像实时监测系统, 采集液膜温度变化过程的红外热像, 从而判断反应启动时长. 实验发现, 2 mm宽线形液膜是较为理想的监测对象, 因其同时具备温度变化信息和空间分布信息, 可以将线形液膜中心作为理想的观测特征点; 由滑动液滴形成残留线形液膜可以得到超浅液膜, 温度变化灵敏度高, GaAs竖直放置, 可以避免液膜重力对启动时长的影响, 获得更为准确的监测数据. 在本实验条件下, 由线形液膜的横向剖面灰度变化得到GaAs材料与H2SO4:H2O2:H2O(= 5:1:50和15:3:50)腐蚀液的反应启动时长分别约为0.2 s和0.3~0.4 s之间. 该方法的提出, 对于快速刻蚀技术以及固-液吸附等性能研究均具有重要价值.     

θ调制实验的教学改进及其模拟实现

基于白光信息处理理论,详细阐述了实现。调制的基本原理。在实验的传统操作基础上,提出了改进方法与措施,有效地改善了实验教学效果。利用Maflab软件,对θ调制实验的图像输出进行了模拟,并给出了相应的模拟结果,它有利于学生加深对θ调制实验原理的理解,同时有利于学生的编程能力的培养。     

10，6μmGe－Ag－Ni空心波导射频溅射镀膜的一种新方法

该文提出一种射频溅射镀膜的新方法，讨论了该方法对小孔径１０．６μｍＧｅ－Ａｇ－Ｎｉ空心波导制作的意义，利用该方法已制成样品，同时给出并比较了几个不同孔径样品的光透射率．     

1.3μm 半导体激光器氖原子激发态跃迁“光电流”效应的稳频技术研究

１．３μｍ半导体激光器氖原子激发态跃迁“光电流”效应的稳频技术研究蔡伯荣王瑞峰叶玉堂胡渝洪永和（电子科技大学光电子技术系成都６１００５４）半导体激光器在大多数光波系统的应用中，都要求其输出光波频率的高度稳定性。无论在现代光纤通信的波分复用或频分复用系...     

基于单片机的半导体激光器恒流源设计

介绍了采用集成运放反馈型结构的恒流驱动源设计,用于确保半导体激光器功率输出恒定。基于单片机的控制系统实现电流控制精度为0．1mA;采用大功率达林顿管作为调整管,输出电流连续可调整范围较大。该电源还具有限流保护、延时软启动等功能。     

10,6μmGe—Ag—Ni空心波导射频测射镀膜的一种新方法

该文提出了一种射频溅射镀膜的新方法，讨论了该方法对小孔径１０．６μｍＧｅ－Ａｇ－Ｎｉ空心波导制作的意义，利用该方法已制成样品，同时给出并比较了几个不同孔径样品的光透射率。     

弱相互作用Bose气体在势阱中Bose-Einstein凝聚临界温度

研究了弱相互作用 Bose 气体在指数势场中凝聚在最小动量态上的Bose-Einstein凝聚的临界温度, 以及相对于理想Bose气体临界温度的偏差. 相互作用对临界温度的影响归结为s分波散射长度与临界温度下的De Broglie波长之比α/λ_c. 当α/λ_c<<1/(2p)²时, 相互作用可以忽略. 所给出的三维简谐势场下的临界温度偏差与最近对简谐势阱中⁸⁷Rb Bose气体临界温度测量结果较好符合.     

光晶格势阱中Bose-Einstein凝聚临界温度和凝聚比例

研究了光晶格势场中Bose-Einstein凝聚的临界温度和凝聚比率. 结果表明光晶格势场中临界温度可以用在一个晶格中的等效凝聚温度来表征. 结果可用于纯光阱囚禁的Bose-Einstein凝聚的临界温度和凝聚比例的快速计算. 对于一般势阱深度, 一个晶格中临界温度可以用等效临界温度来估算; q个晶格中的临界温度正比于q^-3/2; 对于深势阱, 任意q个晶格中的临界温度应为一个晶格中的临界温度. 提出了势阱深度或拉比频率的标准和每个晶格中装载的原子数目的极限.