铁电多层膜与铁电超晶格

铁电多层膜和铁电超晶格是改善铁电薄膜性能并探索新的物理现象的有效途经.作者结合自己的研究工作,介绍了铁电多层膜和铁电超晶格的研究现状和进展.     

铁电存储器——存储器家族中最有发展潜力的新成员

存储器是电子计算机及自动化设备的关键部件。铁电存储器由于具有非易失性、高开关速度,耐辐射、低成本、低功耗等优点,在计算机、航空航天、军事、民用等领域有着极好的应用前景,受到各国科技界、产业界的广泛关注。近几年的研究表明,铁电存储器已成为存储器家族中最有发展潜力的新成员。     

c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质

Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一.     

磁镜中的可见光辐射研究

使用高分辨率的多道可见光探测系统测量了HER磁镜在晃荡电子位形形成时的等离子体可见光辐射(主要是H_α线),并对磁镜等离子体的有关特性及其涨落行为进行了研究。     

集成铁电器件用LaNiO3薄膜电极的结构与电学性能

采用化学溶液沉积法在(100)Si,SiO2/Si,(100)Al2O3,(100)MgO,(100)SrTiO3(STO),(100)ZrO2等衬底上制备了LaNiO3(LNO)薄膜,研究了热处理温度对薄膜结构和电性能的影响.结果显示,衬底种类影响LNO薄膜的结晶,其中STO衬底上的LNO薄膜呈高a轴择优取向成长,且其电阻率最低,为0.87 mΩ.cm.而对于Si衬底上的LNO薄膜,随着热处理温度升高,晶粒尺寸增大,电阻率降低,在750℃时电阻率达到最低值(1.52 mΩ.cm),其后热处理温度的升高导致杂相的形成,电阻率反而上升.扫描电镜观察证实这些LNO薄膜光滑、致密、均匀且无裂纹.结果表明,制得的LNO薄膜可用作集成铁电薄膜器件的底电极.     

ZnO薄膜的Sol-Gel制备与结构分析

ZnO薄膜是一种极为重要的多功能电子材料,已广泛地应用于体声波(BAW)延迟线、声表面波(SAW)器件、声光器件,以及气敏、力敏、压敏等传感器件中.传统的ZnO薄膜制备技术主要有射频磁控溅射,离子束蒸发,化学气相淀积等几种,近年来,Sol-Gel技术得到了很大的发展,已成功地制备出高取向的PbTiO_3薄膜.高取向和外延的K(Ta,Nb)O_3薄膜和(Sr,Ba)Nb_2O_6薄膜等,利用该工艺制备高质量的薄膜,有着极大的发展潜力.本文报道了采用Sol-Gel法在石英玻璃衬底上制备高c轴取向ZnO薄膜     

pH值对Bi_4Ti_3O_（12）溶胶水解特性的影响

报导了前驱体溶液的ｐＨ值对Ｂｉ－Ｔｉ溶液的水解特性的影响，并探讨了乙醇胺的催化作用机理。研究表明，乙醇胺可调节溶液的ｐＨ值，其机理是与ＨＡｃ反应，并与Ｂｉ＋离子生成稳定的络合物．前驱体溶液的ｐＨ值是决定溶胶、凝胶质量的主要因素．ｐＨ值较小时，溶液容易产生沉淀；ｐＨ值较大时，溶液中有大量的浑浊物；只有ｐＨ值在２．５～４之间的溶液才能形成均匀稳定的溶胶和凝胶     

Sol—Gel法合成TiO_2超细粉末

用Ｓｏｌ—Ｇｅｌ法成功地合成了ＴｉＯ２超细粉末。研究表明，这样制备的超细粉末在室温至７５０℃之间经历无定形态→锐钛矿→锐钛矿与金红石共存→金红石的相变，其比表面积为１７～２５１ｍ２／ｇ，平均晶粒尺寸为３～１００ｎｍ，杂质含量少，纯度高。     

外延KTN薄膜的Sol-Gel制备研究

KTa_(1-x)Nb_xO_3(简称KTN)固溶体具有良好的电光特性、非线性光学特性和热释电特性,KTN薄膜在光电子集成电路中有着良好的应用前景,可用于制作空间光调制器或二次谐波产生器件。 人们已进行过KTN单晶和陶瓷方面的工作,KTN晶体生长时存在铌含量的均匀性难以控制而使晶体质量下降性能变差的问题,采用传统的球磨法制备的KTN陶瓷也无法避免