ULSI碱性抛光液对铜布线平坦化的影响研究

研究了铜化学机械平坦化的模型.通过研究分析,采用40 nm粒径的硅溶胶作为磨料,H2O2作为氧化剂,还包含螯合剂和FA/O表面活性剂作为抛光液.分析了工艺条件(包括压力、流量、转速、温度等)和抛光液(H2O2、有机碱、磨料粒径)对抛光过程的影响.通过实验结果,确定了相应的实验条件和抛光液来解决铜化学机械抛光过程中出现的...     

集成电路铜布线与衬底碱性化学机械平坦化关键技术与材料

探讨了集成电路铜布线与衬底碱性化学机械平坦化关键技术与材料项目的研发背景,针对理论研究的进展进行综述,指出了项目的创新之处。该项目成果已在中科院微电子所、台湾科技大学及平坦化协会和美国硅谷研发中心（SVTC）与目前国际上以Cabot公司为代表的酸性浆料进行了评估验证,获中国及美国发明专利和近10年的应用基础。     

材料表面化学机械超精密加工纳米浆料与技术

对材料表面加工精度要求最高的超大规模集成电路(ULSI)多层铜布线全局平整化的化学机械超精密加工(CMP)机理与浆料及关键技术等急待解决的问题进行研究,获得了多项突破,应用后取得了显著效果,指出该项技术将有广阔的发展前景。