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MoSi2添加对再结晶碳化硅(R-SiC)微观结构和体积电阻率的影响 总被引：2，自引：0，他引：2
在一定粗细颗粒配比的SiC粉体中添加不同量的MoSi2,进而在2 300℃烧结得到MoSi2/R-SiC复合材料.采用SEM,XRD,力学性能测试、阻抗分析仪等方法研究了MoSi2添加量对复合材料微观结构、组成、力学和电学性能的影响.结果表明:在2 300℃所得的复合材料中,SiC为6H型,MoSi2转化为六方晶型的M... 相似文献
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