| MoSi2添加对再结晶碳化硅(R-SiC)微观结构和体积电阻率的影响 |
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| 引用本文： | 高朋召,汪文祥,公伟伟,肖汉宁.MoSi2添加对再结晶碳化硅(R-SiC)微观结构和体积电阻率的影响[J].湖南大学学报(自然科学版),2011,38(5):69-73. |
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| 作者姓名： | 高朋召 汪文祥 公伟伟 肖汉宁 |
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| 作者单位： | 湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082 |
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| 基金项目： | 湖南大学"中央高校基本科研业务费专项资金-青年教师科技创新扶持项目"资助 |
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| 摘 要： | 在一定粗细颗粒配比的SiC粉体中添加不同量的MoSi2,进而在2 300℃烧结得到MoSi2/R-SiC复合材料.采用SEM,XRD,力学性能测试、阻抗分析仪等方法研究了MoSi2添加量对复合材料微观结构、组成、力学和电学性能的影响.结果表明:在2 300℃所得的复合材料中,SiC为6H型,MoSi2转化为六方晶型的M...
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| 关 键 词： | 碳化硅 MoSi2 力学性能 体积电阻率 |
Effect of MoSi2 Addition on Microstructure and Volume Resistivity of R-SiC |
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| GAO Peng-zhao,WANG Wen-xiang,GONG Wei-wei,XIAO Han-ning.Effect of MoSi2 Addition on Microstructure and Volume Resistivity of R-SiC[J].Journal of Hunan University(Naturnal Science),2011,38(5):69-73. |
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| Authors: | GAO Peng-zhao WANG Wen-xiang GONG Wei-wei XIAO Han-ning |
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