机电类专业创新精神和实践能力培养模式研究

从机电类专业课程体系特点入手,分析了创新精神和实践能力在该专业本科教学中的地位,探讨了机电类专业本科教学中创新精神和实践能力培养模式,认为只有将二者贯穿于机电类专业本科教学的全过程中,才能培养出宽口径、厚基础、综合素质较高、具备现代工程意识和科技创新精神的机电类专业人才.     

Windows95平台下数控系统实时控制的研究

Windows95是目前最流行的PC机操作系统,开发基于Windows95下的数控系统具有重要意义。通过分析Windows95中断机制和内核结构,提出了利用Windows95的中断调用、多媒体定时器或虚拟设备驱动程度等实现实时控制功能的几种方法,并分别进行了较详细的阐述。     

磁控溅射GeSbTe相变薄膜黏附与摩擦特性

室温下通过调整磁控溅射时间制备了不同厚度的GeSbTe薄膜.利用原子力显微镜和台阶仪观察薄膜的表面形貌,测量薄膜厚度,并借助TriboIndenter纳米力学测试系统,分析探讨了薄膜的黏附和摩擦特性.研究结果表明:随着溅射时间的增加,薄膜表面粗糙度减小,厚度增加,同时表面质量提高;探针直径、相对湿度、薄膜表面质量以及探针载荷等因素对薄膜的黏附和摩擦特性均有重要影响;在满足存储要求的前提下,通过减小探针直径、降低相对湿度能够有效降低黏附力和摩擦力;而提高薄膜表面质量,为探针施加合适的载荷,有助于改善探针与薄膜表面之间的摩擦特性.     

Windows95平台下数控系统实时控制的研究

Windows95是目前最流行的PC机操作系统,开发基于Windows95下的数控系统具有重要意义通过分析Windows95中断机制和内核结构,提出了利用Windows95的中断调用、多媒体定时器或虚拟设备驱动程序等实现实时控制功能的几种方法,并分别进行了较详细的阐述     

GeSb2Te4相变薄膜表面形貌的分形特征

在Si（111）基底上用磁控溅射法以不同射频功率制备GeSb2Te4薄膜，利用高度相关函数法对薄膜的原子力显微镜图像进行分形计算，得到表面形貌的分形维．结果表明，分形维的大小与薄膜表面质量成正比，而表面粗糙度不能全面描述薄膜表面形貌；溅射功率对薄膜表面微观结构有直接影响，在一定范围内，增大溅射功率可以提高薄膜表面质量，但超过一定值后，又会降低薄膜表面质量．并指出利用分形维可以优化溅射工艺参数．     

溅射功率对GeSb2Te4膜形貌及力学性能的影响

利用电子回旋共振CVD设备的射频磁控溅射方法制备了GeSb2Te4膜,采用原子力显微镜、纳米硬度计以及侧向力显微镜考察了不同溅射功率对GeSb2Te4膜表面微观结构以及力学性能的影响．结果表明：在一定的溅射功率范围内,由于薄膜生长方式从三维向二维的转化,薄膜的表面粗糙度随功率的增大而降低,而且薄膜致密度也随之提高,从而使得非晶态GeSb2Te4膜硬度和弹性模量增大．利用能量密度理论对这一现象进行了分析．另外,由于表面能等因素的影响,功率为63W制备的GeSb2Te4膜粘附力较高,摩擦系数却较小．